AVX 钽电容 100UF 16V/100UF 25V
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | 100UF/16V | |
| 品牌/商标： | AVX | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 | |
| 产品主要用途： | 普通/民用电子信息产品 | |
| 引出线类型： | 径向引线型 | |
| 特征： | 方型 | |
| 标称容量范围： | 100uf | |
| 额定电压范围： | 16V | |
| 温度系数范围： | -40-100℃ |
AVX钽电容,泓胜达优势供应!100UF 16V 100UF 25V 100UF 6.3V
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场效应管MOSFET 7N60/WFF7N60
信息内容：功率MOSFET的基本特性 1、静态特性MOSFET的转移特性和输出特性。 漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性，ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导Gfs MOSFET的漏极伏安特性（输出特性）：截止区（对应于GTR的截止区）；饱和区（对应于GTR的放大区）；非饱和区（对应于GTR的饱和区）。电力MOSFET工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。电力MOSFET漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通。电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。 2、动态特性MOSFET其测试电路和开关过程。 开通过程；开通延迟时间td（on） -Up前沿时刻到UGS=UT并开始出现iD的时刻间的时间段；上升时间tr- UGS从UT上升到MOSFET进入非饱和区的栅压UGSP的时间段；iD稳态值由漏极电源电压UE和漏极负载电阻决定。UGSP的大小和iD的稳态值有关，UGS达到UGSP后，在up作用下继续升高直至达到稳态，但iD已不变。开通时间ton-开通延迟时间与上升时间之和。 关断延迟时间td（off） -Up下降到零起，Cin通过RS和RG放电，UGS按指数曲线下降到UGSP时，iD开始减小为零的时间段。下降时间...
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