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供应场效应MOSFET管

价 格: 面议

品牌:INFINEON 型号:SPP02N80C3 封装形式:TO-220 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 夹断电压:800(V) 饱和漏极电流:2(mA)
SPP02N80C3 05年全新原装无铅深圳华强门市部现货

深圳市福田区新亚洲电子市场二期嘉能源电子经营部
公司信息未核实
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供应场效应MOSFET管 FDD5614P

信息内容:

品牌:FAIRCHILD 型号:FDD5614P FDD5612 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:L/功率放大 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:P-FET硅P沟道 开启电压:20(V) 夹断电压:-60V(V) 极间电容:759(pF) 漏极电流:-15A(mA) 耗散功率:42(mW)本公司经营世界名厂(IR ST FAIRCHILD VISHAY ZETEX infineon):二三极管 场效应管 精密稳压IC;欢迎来电咨询:0755-83687190 82567830 只做现货FDD120AN15AOFAIRCHILD09+TO-252FDD5612FAIRCHILD09+TO-252FDD5614FAIRCHILD09+TO-252FDD5614PFAIRCHILD09+TO-252FDD5614PFAIRCHILD09+TO-252FDD5670FAIRCHILD09+TO-252FDD6030FAIRCHILD09+TO-252FDD6030LFAIRCHILD09+TO-252FDD6035FAIRCHILD09+TO-252FDD6296FAIRCHILD09+TO-252FDD6612FAIRCHILD09+TO-252FDD6670FAIRCHILD09+TO-252FDD6676FAIRCHILD09+TO-252FDD6676FAIRCHILD09+TO-252FDD6676FAIRCHILD09+TO-252FDD6680FAIRCHILD09+TO-252FDD6682FAIRCHILD09+TO-252FDD6685FAIRCHILD09+TO-252FDD6688FAIRCHILD09+TO-252FDD6690FAIRCHILD09+TO-252FDD6692FAIRCHILD09+TO-252FDD6696FAIRCHILD09+TO-252FDD7030FAIRCHILD09+TO-252FDD7030BLFAIRCHILD09+TO-252FDD8770FAIRCH...

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供应场效应MOSFET管 2SK3491

信息内容:

品牌:SANYO 型号:2SK3491 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:电源 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:20V(V) 夹断电压:600(V) 漏极电流:1A(mA)2SK3491 全新原装深圳门市部现货

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