品牌:TOSHIBA东芝 型号:1SS393 应用范围:整流 结构:点接触型 材料:硅(Si) 封装形式:直插型 封装材料:陶瓷封装 功率特性:中功率 频率特性:中频
部件型号 | 1SS393 | |
内部连接 | 2合1, 共阴极 | |
反向电压VR | 40 V | |
平均整流电流IO | 0.1 A | |
正向电压VF@IF=100mA, typ | 0.54 V | |
正向电压VF@IF=100mA, max | 0.6 V | |
封装 | USM(2.0 x 2.1) | |
管脚数 | 3 | |
表面安装型 | Y | |
特征 | 标准 | |
产品分类 | 小信号肖特基势垒二极管 | |
装配基础 | 日本, 泰国 | |
RoHS Compatible Product(s) (#) | Available |
品牌:TOS日本东芝 型号:TK10A60D 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型部件型号TK10A60D 极性N沟 漏源电压VDSS600 V 漏电流ID10 A 漏功耗PD45 W 门电荷总数Qg(nC) (标准)25 漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V0.75 Ω 封装TO-220SIS 管脚数3 表面安装型N 产品分类功率MOSFET (N沟 500V<VDSS≦700V) 装配基础日本, 马来西亚RoHS Compatible Product(s) (#)
品牌:TOSHIBA 型号:2SK3562(Q) 应用范围:功率 功率特性:中功率 频率特性:中频 极性:PNP型 封装形式:TO-220SIS 营销方式:代理 产品性质:热销本公司为东芝一级代理商,保证所有产品均为东芝原厂,现货供应,订货价格竞争力强 部件型号2SK3562 极性N沟 漏源电压VDSS600 V 漏电流ID6 A 漏功耗PD40 W 门电荷总数Qg(nC) (标准)28 漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V1.25 Ω 封装TO-220SIS 用途 产品分类功率MOSFET (N沟 500V<VDSS≦700V) 装配基础日本, 马来西亚 MOS管 供应2SK3562(600V/6A) 2SK3568(500V/12A) 2SK3569(600V/10A) TK10A60D(600V/10A) TMP86F809 TMP86FH09 TMP86P807 TMP86FH47AUG TB62747AFG/AFNAG (LED屏驱动IC)