供应达林顿三极管BU941Z
| 价 格： | 0.08 |
品牌:XY 型号:BU941Z 封装形式:直插型 装配方式:直接安装 封装材料:塑料封装 结构:外延型 材料:硅 营销方式:厂家直销 应用范围:达林顿
汽车点火器用功率达林顿管，内设保护稳压二极管（芯片表面有保护膜）封装外型：TO-3P,TO-218,TO-220,TO-263，同类产品：BU323Z,ST931ZT,BU932Z,BU941ZT,BU931ZT,BU323ZT(电流Ic：15A;Icm：30A)
1， 参数资料
symbol | parameter | unit | Value |
Vcbo | Collector-base voltage | V | 350 |
Vceo | Collector-emitter voltage | V | 350 |
Vebo | Emitter-base voltage | V | 5 |
Ic | Collector current | A | 15 |
Icm | Collector peak current | A | 30 |
Ib | Base current | A | 1 |
Ibm | Base peak current | A | 2 |
电子性能（Tc=25C）
Symbol | Parameter | Unit | Value | Test conditions |
Iceo | Collector-emitter Current(反向) | μA | <100 | Vce=300V,Ib=0 |
Vceo | Collector-emitter Voltage (限制) | V | >350
| Ic=100mA,Ib=0 |
Iebo | Emitter-base Current(反向) | mA | <=20 | Veb=5.0V,Ico=0 |
Vce(sat) | Collector-emitter Saturation voltage | V | <=1.8 <=1.8 <=2.0 | Ic=8A,Ib=100mA Ic=10A,Ib=250mA Ic=12A,Ib=300mA |
Vbe(sat) | Base-emitter Saturation voltage | V | <=2.2 <=2.5 <=2.7 | Ic=8A,Ib=100mA Ic=10A,Ib=250mA Ic=12A,Ib=300mA |
Hfe | DC current gain |
| >300 | Ic=5A,Vce=5V |
VcL | Clamping voltage | V | 350-500 | Ic=100mA |
Vf | Diode forward Voltage | V | <2.5 | If=10A |
- 所属城市：辽宁 丹东
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供应MOS场效应管芯片IRF630
信息内容：品牌:台湾 型号:IRF630 封装形式:直插型 种类:绝缘栅 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 夹断电压:200（V） 饱和漏极电流:9（mA） 营销方式:新品我公司经销MOS场效应管芯片/晶圆IRF630，质量保证。我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系，共同发展！产品介绍：6N60是专为高效开关电源而设计的一种先进的高压MOSFET，具有快速开关的特点。芯片基本性质：：芯片型号ModelIRF630芯片尺寸：2.69*3.12VDSS200VRDS(on)0.4(max)ID9.0A正面电极金属铝背面电极金属银芯片基本性质：参考封装形式：芯片型号封装外型封装类型 IRF630 TO-220、塑封我公司可提供相关型号详细资料。
热卖中大功率三极管 BU941Z
信息内容：品牌:XY 型号:BU941 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装 结构:点接触型 材料:硅 极性:NPN型 应用范围:达林顿 本公司经销俄罗斯进口达林顿管，可长期、大量满足裸芯片和成品管供应。芯片全部进口（俄罗斯 ）1、BU941系列主要型号：BU941ZP、BU941Z 、BU941(同类型号:KT829AT)BU941Z (同类型号:KTD8252、KT898AM、KT890AM、BU323ZT、BU931Z、ST931ZT、BU932Z)用途：用于各类机动车电子打火系统。晶体管的物理性质如下：1） 芯片直径100毫米2） 芯片厚度为320+-20微米3） 正面金属为铝4） 背部金属为钛、镍、银合金 内设有稳压管和二极管及电阻。即可封装不同外型的成品管，也可以直接利用裸片焊接（芯片表面有保护膜）。外型有：TO-220、TO-263、TO-3P、TO-218
