热卖中大功率三极管 BU941Z
| 价 格： | 1.20 |
品牌:XY 型号:BU941 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装 结构:点接触型 材料:硅 极性:NPN型 应用范围:达林顿
内设有稳压管和二极管及电阻。 即可封装不同外型的成品管，也可以直接利用裸片焊接（芯片表面有保护膜）。 外型有：TO-220、TO-263、TO-3P、TO-218 |
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供应MOS场效应晶体管 IRF730
信息内容：品牌:TW 型号:IRF730 种类:绝缘栅 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 夹断电压:400（V） 饱和漏极电流:5.5（mA） 营销方式:新品我公司经销MOS场效应管芯片/晶圆IRF730，质量保证。我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系，共同发展！产品介绍：IRF730是专为高效开关电源而设计的一种先进的高压MOSFET，具有快速开关的特点。芯片基本性质：：芯片型号ModelIRF730芯片尺寸：3.20*3.58VDSS400VRDS(on)1(max)ID5.5A正面电极金属铝背面电极金属银芯片基本性质：参考封装形式：芯片型号封装外型封装类型 IRF730 TO-220、塑封我公司可提供相关型号详细资料。
供应MOS场效应晶体管 6N60
信息内容：品牌:TW 型号:6N60 种类:绝缘栅 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 夹断电压:600（V） 饱和漏极电流:7（mA） 营销方式:新品 用途:专为高效开关电源而设计的一种先进的高压MOSFET我公司经销MOS场效应管芯片/晶圆6N60，质量保证。我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系，共同发展！产品介绍：6N60是专为高效开关电源而设计的一种先进的高压MOSFET，具有快速开关的特点。芯片基本性质：：芯片型号Model6N60芯片尺寸：3.75*5.08VDSS600VRDS(on)1.20(max)ID7.0A正面电极金属铝背面电极金属银芯片基本性质：参考封装形式：芯片型号封装外型封装类型 6N60 TO-220、TO-220PF塑封我公司可提供相关型号详细资料。
