供应MOS场效应管芯片IRF630
| 价 格： | 面议 |
品牌:台湾 型号:IRF630 封装形式:直插型 种类:绝缘栅 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 夹断电压:200（V） 饱和漏极电流:9（mA） 营销方式:新品
我公司经销MOS场效应管芯片/晶圆IRF630，质量保证。我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系，共同发展！
产品介绍：6N60是专为高效开关电源而设计的一种先进的高压MOSFET，具有快速开关的特点。
芯片基本性质：：
芯片型号Model | IRF630 |
芯片尺寸： | 2.69*3.12 |
VDSS | 200V |
RDS(on) | 0.4(max) |
ID | 9.0A |
正面电极金属 | 铝 |
背面电极金属 | 银 |
芯片基本性质：
参考封装形式：
芯片型号 | 封装外型 | 封装类型 |
IRF630 | TO-220、 | 塑封 |
我公司可提供相关型号详细资料。
- 所属城市：辽宁 丹东
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热卖中大功率三极管 BU941Z
信息内容：品牌:XY 型号:BU941 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装 结构:点接触型 材料:硅 极性:NPN型 应用范围:达林顿 本公司经销俄罗斯进口达林顿管，可长期、大量满足裸芯片和成品管供应。芯片全部进口（俄罗斯 ）1、BU941系列主要型号：BU941ZP、BU941Z 、BU941(同类型号:KT829AT)BU941Z (同类型号:KTD8252、KT898AM、KT890AM、BU323ZT、BU931Z、ST931ZT、BU932Z)用途：用于各类机动车电子打火系统。晶体管的物理性质如下：1） 芯片直径100毫米2） 芯片厚度为320+-20微米3） 正面金属为铝4） 背部金属为钛、镍、银合金 内设有稳压管和二极管及电阻。即可封装不同外型的成品管，也可以直接利用裸片焊接（芯片表面有保护膜）。外型有：TO-220、TO-263、TO-3P、TO-218
供应MOS场效应晶体管 IRF730
信息内容：品牌:TW 型号:IRF730 种类:绝缘栅 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 夹断电压:400（V） 饱和漏极电流:5.5（mA） 营销方式:新品我公司经销MOS场效应管芯片/晶圆IRF730，质量保证。我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系，共同发展！产品介绍：IRF730是专为高效开关电源而设计的一种先进的高压MOSFET，具有快速开关的特点。芯片基本性质：：芯片型号ModelIRF730芯片尺寸：3.20*3.58VDSS400VRDS(on)1(max)ID5.5A正面电极金属铝背面电极金属银芯片基本性质：参考封装形式：芯片型号封装外型封装类型 IRF730 TO-220、塑封我公司可提供相关型号详细资料。
