供应200V，18A，125W N-CH MOS管IRF640N
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | IRF640N | |
| 品牌/商标： | IR | |
| 封装形式： | TO-220AB | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 散装 | |
| 功率特征： | |
供应200V，18A，125W N-CH MOS管IRF640N
Advanced Process Technology
Dynamic dv/dt Rating
175!aC Operating Temperatur
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
Ease of Paralleling
Simple Drive Requirements
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 陈树辉
- 电话：0755-82534577/13076512089
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供应80V,10A,50W N-CH 互补功率开关三极管D44H11
信息内容：技术/目录信息 D44H11 制造商 ST 分类 分离式半导体产品 晶体管类型 NPN 电压 - 集电极发射极击穿（） 80V 电流 - 集电极 (Ic)（） 10A 功率 - 50W DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 2A, 1V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（） 1V @ 400mA, 8A Frequency - Transistion - Current - Collector Cutoff (Max) - 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 (Straight Leads) 无铅状态 Lead Free ROHS状态 RoHS Compliant 其它名称 D44H11 型号 D45H5, D45H8, D45H11 封装 TO-220 Pkg 制造商 ST 标准包装 50 类别 分离式半导体产品 家庭 晶体管(BJT) - 单路 系列 - 晶体管类型 PNP 电流 - 集电极 (Ic)（） 10A 电压 - 集电极发射极击穿（） 80V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（） 1V @ 400mA, 8A 电流 - 集电极截止（） 10µA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) 40 @ 4A, 1V 功率 - 50W 频率 - 转换 - 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 (直引线) 包装 管件
供应1500V,10A,50W NPN MOS管2SC5207
信息内容：2SC5207ASilicon NPN Triple Diffused Planar ApplicationCharacter display horizontal deflection outputFeatures· High speed switchingtf = 0.2 μsec (typ)· Wide drive current capability Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)Item Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 1500 VCollector to emitter voltage VCEO 800 VEmitter to base voltage VEBO 6 VCollector current IC 10 ACollector surge current IC(surge) 20 ACollector power dissipation PC*1 50 WJunction temperature Tj 150 °CStorage temperature Tstg –55 to +150 °C
