SC2010半导体分立器件测试系统
1.1 系统概述
SC2010半导体分立器件测试系统是一款非常具有代表性的新型半导体晶体管参数测试图示系统，是美国STI5000系列测试机的国产替代机型，本系统可自动生成功率器件的 I-V 曲线，也可根据客户的实际需求设置功能测试，直接读取数显结果。系统在失效分析， IQC 来料检验及高校实验室等部门有广泛的应 用。系统生成的曲线都使用 ATE 系统逐点建立，保证了数据的准确可靠。系统典型的测试时间是 6 to 20ms,通常上百 个数据点曲线只需要几秒钟时间便可以展现出来，数据捕获的曲线可导入 EXCEL 等格式进一步分析研究，是一款高效多功能的半导体测试设备。
本系统使用方便，只需要通过 USB 或者 RS232 与电脑连接，通过电脑中友好的人机界面操作，即可完成测试。并可以实现测试数据以 EXCEL 和 WORD 的格式保存。系统提供过电保护功能，门极过电保护适配器提供了广泛的诊断测 试。这些自我测试诊断被编成测试代码,以提供自我测试夹具,在任何时间都可以检测。对诊断设备状态和测试结果提供了可靠地保证。
1.2 系统指标
测 试 电 压： ≤2KV
测 试 电 流： ≤100A
电压分辨率： 1mV
电流分辨率： 0.1nA
测 试 精 度： 0.2%+2LSB
测 试 速 度： 约0.5ms/参数
测 试 方 式： 程控脉冲式
脉 冲 宽 度： 300us至5ms
规 格 尺 寸： 570*450*280mm
1.3 产品特点
测试范围广（19 大类，27 分类）
扩展性强，支持电压电流阶梯式升级至 2000V,1250A
被测器件接触不良时系统自动停止，保证被测器件不受损坏
动态跨导测试精准（主流的直流法测得，其结果与实际值偏差很大）
系统故障在线判断定位设计，便于应急处理排障
二极管极性自动判别功能，无需人工操作
IV 曲线显示 / 局部放大
过压过流保护以防损坏器件
品种繁多的曲线
可编程延迟时间可减少器件发热
曲线和数据直接导入到 EXCEL
1.4 测试能力
SC2010测试系统是专为测试半导体分立器件而研发设计。它具有十分丰富的编程软件和强大的测试能力，能够真实 准确测试以下类型的半导体器件以及相关器件组成的组合器件、器件阵列：
序号 | 测试器件类别 | 测试参数列表 |
1 | 二极管 DIODE | IR；BVR ；VF |
2 | 晶体管 TRANSISTOR | ICBO ； ICEO ； ICER ； ICES ； ICEV ； IEBO ；BVCEO ；BVCBO ；BVEBO； HFE；VCESAT；VBESAT；VBE(VBEON)；RE；VF |
3 | J 型场效应管 J-FET | IGSS；IDOFF；IDGO；BVDGO；BVGSS；VDSON，VGSON；IDSS；GFS；VGSOFF |
4 | 场效应管 MOS-FET | IDSS ；IDSV；IGSSF； IGSSR ；VGSF ；VGSR ；BVDSS ；VGSTH ；VDSON、 VF(VSD) IDON；VGSON；RDSON；GFS |
5 | 双向可控硅 TRIAC | VD+；VD-；VT+ ； VT-；IGT；VGT ；IL+；IL-；IH+；IH- |
6 | 可控硅 SCR | IDRM；IRRM；IGKO；VDRM；VRRM；BVGKO；VTM；IGT；VGT；IL；IH |
7 | 绝缘栅双极型晶体管 IGBT | ICES；IGESF；IGESR；BVCES；VGETH；VCESAT；ICON；VGEON；VF；GFS |
8 | 硅触发可控硅 STS | IH+； IH-；VSW+ ； VSW-；VPK+ ； VPK-；VGSW+；VGSW- |
9 | 达林顿阵列 DARLINTON | ICBO ； ICEO ； ICER ； ICES ； ICEX ； IEBO ； BVCEO ； BVCER ； BVCEE ； BVCES ；BVCBO；BVEBO；hFE ；VCESAT； VBESAT；VBEON |
10 | 光电耦合器 OPTO-COUPLER | ICOFF 、 ICBO ； IR ； BVCEO ； BVECO ； BVCBO ； BVEBO ； ； CTR ； HFE ； VCESAT； VSAT；VF(Opto-Diode) |
11 | 继电器 RELAY | RCOIL；VOPER；VREL；RCONT；OPTIME； RELTIME |
12 | 稳压、齐纳二极管 ZENER | IR；BVZ；VF；ZZ |
13 | 三端稳压器 REGULATOR | Vout；Iin； |
14 | 光电开关 OPTO-SWITCH | ICOFF；VD；IGT；VON；ION ；IOFF |
15 | 光电逻辑 OPTO-LOGIC | IR；VF；VOH；VOL；IFON； IFOFF |
16 | 金属氧化物压变电阻 MOV | ID+ ID-；VN+； VN-；VC+ ；VCLMP-；VVLMP+ ； |
17 | 固态过压保护器 SSOVP | ID+ ID- ；VCLAMP+, VCLAMP- ；VT+ 、VT- ； IH+ 、 IH- ； ； IBO+ IBO-； VBO+ VBO-；VZ+ VZ- |
18 | 压变电阻 VARISTOR | ID+； ID-；VC+ ；VC- |
19 | 双向触发二极管 DIAC | VF+,VF-,VBO+,VBO-,IBO+,IBO-,IR+,IR-, |
1.5 曲线列举（部分）
MOSFET曲线
ID vs. VDS at range of VGS
ID vs. VGS at fixed VDS
IS vs. VSD
RDS vs. VGS at fixed ID
RDS vs. ID at several VGS
IDSS vs. VDS
TRANSISTOR曲线
HFE vs. IC
BVCE（O,S,R,V）vs. IC
BVEBO vs. IE
BVCBO vs. IC
VCE（SAT）vs. IC
VBE（SAT）vs. IC
VBE（ON）vs. IC （use VBE test）
VCE（SAT）vs. IB at a range of ICVF vs. IF
1.6 应用领域
分立器件设计厂家、封装厂器件测试、电子产品厂家来料检验、实验室选型配对、设备维修分析、高校器件教学、研究所器件设计等等。
