FQD5P10TF特点
类别:分离式半导体产品家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:QFET™
FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C:1.05 欧姆 @ 1.8A, 10V
漏源电压(Vdss):100V
电流 - 连续漏(Id) @ 25° C:3.6A
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FQD5P10TF特点
类别:分离式半导体产品