FQD13N06TM特点
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:QFET™
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C:140 毫欧 @ 5A, 10V
漏源电压(Vdss):60V
电流 - 连续漏(Id) @ 25° C:10A
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