我以NPN三管为例为你说明三管的原理：
先三管是由两个P-N结够成，NPN三管就是两头是N型，中间是P型。N端为电子端，P端为空穴端
在制造三管时，要把发射区的N型半导体电子浓度做的很大，基区P型半导体做的很薄，当基的电压大于发射电压（硅管要大0.7V，锗管要大0.3V）而小于集电电压时，这时发射区的电子进入基区，进行复合，形成IE；但由于发射区的电子浓度很大，基区又很薄，电子就会穿过反向偏置的集电结到集电区的N型半导体里，形成IC；基区的空穴被复合后，基的电压又会进行补给，形成IB。
邓程宝
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