一、选用指南
1、先确定被保护电路的直流或连续工作电压，电路的额定标准电压和“高端”容限。
2、
TVS的额定反向关断电压VWM应大于或等于被保护电路的工作电压，若选用的VWM太低，器件有可能进入雪崩状态或因反向漏电流太大影响电路的正常工作。
3、
TVS的箝位电压VC应小于被保护电路的损坏电压。
4、
TVS的峰值脉冲功率PW须大于被保护电路内可能出现的峰值脉冲功率。
5、
在确定了TVS的箝位电压后，其峰值脉冲电流应大于瞬态浪涌电流。
6、
对于数据接口电路的保护，须注意选取尽可能小的电容值C的TVS器件。
7、
带A的TVS二管比不带A的TVS二管的离散性要好，在TVS二管A前面加C的型号表示双向TVS二管。
8、
直流保护一般选用单向TVS二管，交流保护一般选用双向TVS二管，多路保护选用TVS阵列器件，大功率保护选用TVS保护模块。情况，如：RS-485和RS-232保护可选用双向TVS二管或TVS阵列。
9、
TVS二管可以在-55℃到+150℃之间工作，如果需要TVS在一个变化的温度下工作，由于其反向漏电流ID是随温度的增加而；功耗随TVS结温度增加而下降，故在选用TVS时应考虑温度变化对其特性的影响。
10、TVS二管可以串/并应用，串行连接分电压，并行连接分电流。但考虑到TVS的离散性，使用时应尽可能的减少串/并数量。
二、注解
1、VWM—是TVS连续工作的直流或脉冲电压，当这个反向电压加于TVS两时，它处于反向关断状态，流过它的电流小于或等于其反向漏电流ID。
2、VBR—是TVS小的雪崩电压。25℃时，在这个电压之前，保护TVS是不导通的。当TVS流过规定的1mA电流IR时，加于TVS两间的电压为其小击穿电压VBR。
3、IT—--测试电流。
4、ID—--反向漏电流。
5、VC—当持续时间为20us的脉冲峰值电流IPP流过TVS时，其两间出现的峰值电压为VC。它是串联电阻和热温升两者电压上升的组合。
6、IPP—的峰值脉冲电流。
7、C----电容值（pF）。在收/发的总线接口电路里，选取电容值小的TVS器件尤为有利。
二、TVS相关参数及选型
处理瞬时脉冲对器件损害的办法是将瞬时电流从敏感器件引开。TVS二管在线路板上与被保护线路并联，当瞬时电压过电路正常工作电压后，TVS二管便发生雪崩，提供给瞬时电流一个电阻通路，其结果是瞬时电流通过二管被引开，避开被保护器件，并且在电压恢复正常值之前使被保护回路一直保持截止电压。当瞬时脉冲结束以后，TVS二管自动回复高阻状态，整个回路进入正常电压。许多器件在承受多次冲击后，其参数及性能会发生退化，而只要工作在限定范围内，二管将不会发生损坏或退化。
从以上过程可以看出，在选择TVS二管时，须注意以下几个参数的选择：
1.小击穿电压VBR和击穿电流IR。VBR是TVS小的击穿电压，在25℃时，低于这个电压TVS是不会发生雪崩的。当TVS流过规定的1mA电流(IR)时，加于TVS两的电压为其小击穿电压VBR。按TVS的VBR与标准值的离散程度，可把VBR分为5%和10%两种。对于5%的VBR来说，VWM=0.85VBR；对于10%的VBR来说，VWM=0.81VBR。为了满足IEC61000-4-2国际标准，TVS二管须可以处理小8kV(接触)和15kV(空气)的D冲击，有的半导体生产厂商在自己的产品上使用了更高的冲击标准。对于某些有要求的便携设备应用，设计者可以按需要挑选器件。
2.反向漏电流ID和额定反向关断电压VWM。VWM这是二管在正常状态时可承受的电压，此电压应大于或等于被保护电路的正常工作电压，否则二管会不断截止回路电压；但它又需要尽量与被保护回路的正常工作电压接近，这样才不会在TVS工作以前使整个回路面对过压威胁。当这个额定反向关断电压VWM加于TVS的两间时它处于反向关断状态，流过它的电流应小于或等于其反向漏电流ID。
3.箝位电压VC和峰值脉冲电流IPP。当持续时间为20mS的脉冲峰值电流IPP流过TVS时，在其两端出现的峰值电压为VC。VC、IPP反映了TVS的浪涌抑制能力。VC与VBR之比称为箝位因子，一般在1.2~1.4之间。VC是二管在截止状态提供的电压，也就是在D冲击状态时通过TVS的电压，它不能大于被保护回路的可承受限电压，否则器件面临被损伤的危险。
4. Pppm额定脉冲功率，这是基于截止电压和此时的峰值脉冲电流。对于手持设备，一般来说500W的TVS就了。峰值脉冲功耗PM是TVS能承受的峰值脉冲功耗值。在给定的箝位电压下，功耗PM越大，其浪涌电流的承受能力越大。在给定的功耗PM下，箝位电压VC越低，其浪涌电流的承受能力越大。另外，峰值脉冲功耗还与脉冲波形、持续时间和环境温度有关。而且，TVS所能承受的瞬态脉冲是不重复的，器件规定的脉冲重复频率(持续时间与间歇时间之比)为0.01%。如果电路内出现重复性脉冲，应考虑脉冲功率的累积，有可能损坏TVS。
5.电容量C。电容量C是由TVS雪崩结截面决定的，是在特定的1MHz频率下测得的。C的大小与TVS的电流承受能力成正比，C太大将使信号衰减。因此，C是数据接口电路选用TVS的重要参数。电容对于数据/信号频率越高的回路，二管的电容对电路的干扰越大，形成噪声或衰减信号强度，因此需要根据回路的特性来决定所选器件的电容范围。高频回路一般选择电容应尽量小(如LVS、低电容TVS，电容不大于3pF)，而对电容要求不高的回路电容选择可高于40pF。
