一、设备用途：
本设备为单室结构的多靶磁控溅射镀膜设备，可用于单质膜及多层功能膜、金属膜、半导体膜、介质膜等。
二、技术指标：
1.空室采用立式前开门结构，尺寸为：Φ700×H742（mm），不锈钢材料；
2.限真空：溅射室（经烘烤）真空度限≤5×10-5Pa；
3.统漏率：停泵关机12小时后，溅射室真空度可达≤15Pa；
4.靶：四支矩形永磁非平衡靶（约15英寸×5英寸）（，由甲方自购），磁控靶不设置档板；
5.品可加热，加热温度：室温～250℃，采用高控温表，程序控温；
6.气系统：采用手动三路供气，三路单独进行流量控制单独进气。
三、系统组成：
该设备主要由真空抽气及测量系统、溅射室系统、磁控溅射靶及电源系统、样品台系统（样品台主体、偏压电源、样品加热）、气路系统、电器及计算机控制系统、辅助系统等各部分组成。
本设备为单室结构的多靶磁控溅射镀膜设备，可用于单质膜及多层功能膜、金属膜、半导体膜、介质膜等。
二、技术指标：
1.空室采用立式前开门结构，尺寸为：Φ700×H742（mm），不锈钢材料；
2.限真空：溅射室（经烘烤）真空度限≤5×10-5Pa；
3.统漏率：停泵关机12小时后，溅射室真空度可达≤15Pa；
4.靶：四支矩形永磁非平衡靶（约15英寸×5英寸）（，由甲方自购），磁控靶不设置档板；
5.品可加热，加热温度：室温～250℃，采用高控温表，程序控温；
6.气系统：采用手动三路供气，三路单独进行流量控制单独进气。
三、系统组成：
该设备主要由真空抽气及测量系统、溅射室系统、磁控溅射靶及电源系统、样品台系统（样品台主体、偏压电源、样品加热）、气路系统、电器及计算机控制系统、辅助系统等各部分组成。
