原位薄膜应力计 （MOS）

　　世界原位薄膜应力测量系统，又名原位薄膜应力计或原位薄膜应力仪！MOS美国技术！曾荣获2008　Innovation　of　the　Year　Awardee！　
　　
　　技术参数　
　　1、扫描分辨率：2μm；　
　　2、平均曲率分辨率：＜2e-5（1／m）1-sigma（50km　radius）1-sigma；
　　3、平均翘曲测量重复性：＜5e-6（radians）1-sigma；　
　　4、平均曲率重复性：＜2×10-5　1／m（1sigma）
　　
　　主要特点
　　1、程序化控制扫描模式：选定区域、多点线性扫描、积扫描；　
　　2、实时原位成像功能：样品表面2D曲率成像，定量薄膜应力成像分析；　
　　3、实时原位测量功能：曲率、曲率半径、应力强度、应力和翘曲等；
　　4、支持装在各种真空沉积设备或表面处理设备上（如：E，MOCVD，sputtering，PLD，PECVD，and　annealing　chaers　ects）。
　　
　　采用非接触激光MOS技术；不但可以的对样品表面应力分布进行统计分析，而且还可以进行样品表面二维应力、曲率成像分析；　　
　　
　　该设备已经广泛被高等学府（如：Harvard　University　2套，Stanford　University，Johns　Hopkins　University，Brown　University　2套，Karlsruhe　Research　Center，Max　Planck　Institute，西安交通大学等）、半导体制和微电子造商（如IBM。，Seagate　Research　Center，Phillips　Semiconductor，NEC，Nissan　ARC，Nichia　Gl　Corporation）等所采用；　
　　
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　　薄膜应力仪（薄膜应力测量仪）：为测量系统，同样采用的MOS技术，详细信息请与我们联系。