产品介绍：
◇ 用途：适用于电力半导体器件及电真空器件。 用作可控硅元件中单晶硅片的支撑基板。
◇ 特点：钼圆片表面光亮，粗糙度可达Ra1.60，热导电性能好，热膨胀系数小，且， 压强度现行同类产品
◇ 规格：（Φ5.0-150.0）×（0.2-6.0）mm 合国标GB/T 14592-93
◇ 参数：比重：10.2g/cm 3 电阻率：不大于6.26×10 -6 Ω.cm
◇ 热膨胀系数：4.0×10 -6 μm/(m.k)-6.4×10 -6 μm/(m.k)(在373.15k-973.15k)
◇ 如果您有要求，可协商解决。
◇ 用途：适用于电力半导体器件及电真空器件。 用作可控硅元件中单晶硅片的支撑基板。
◇ 特点：钼圆片表面光亮，粗糙度可达Ra1.60，热导电性能好，热膨胀系数小，且， 压强度现行同类产品
◇ 规格：（Φ5.0-150.0）×（0.2-6.0）mm 合国标GB/T 14592-93
◇ 参数：比重：10.2g/cm 3 电阻率：不大于6.26×10 -6 Ω.cm
◇ 热膨胀系数：4.0×10 -6 μm/(m.k)-6.4×10 -6 μm/(m.k)(在373.15k-973.15k)
◇ 如果您有要求，可协商解决。
