◆ 产品介绍：
用途： 适用于电力半导体器件及 IGBT模块等。 用作可控硅元件中单晶硅片的支撑基板。
特点：钼圆片表面光亮，粗糙度可达Ra1.60，热导电性能好，热膨胀系数小，且。
规格：加工方片范围为4-25毫米 2 ，厚度0.15-1.5毫米。亦可根据客户要求，来样来图加工。
参数：比重：10.2g／cm 3 电阻率：不大于6。26×10 -6 Ω。cm
线膨胀系数：4.0×10 -6 μm／（m.k）-6.4×10 -6 μm／（m.k）（在373.15k-973.15k）
包装：吸塑包装于木箱内，箱重不过20kg。
用途： 适用于电力半导体器件及 IGBT模块等。 用作可控硅元件中单晶硅片的支撑基板。
特点：钼圆片表面光亮，粗糙度可达Ra1.60，热导电性能好，热膨胀系数小，且。
规格：加工方片范围为4-25毫米 2 ，厚度0.15-1.5毫米。亦可根据客户要求，来样来图加工。
参数：比重：10.2g／cm 3 电阻率：不大于6。26×10 -6 Ω。cm
线膨胀系数：4.0×10 -6 μm／（m.k）-6.4×10 -6 μm／（m.k）（在373.15k-973.15k）
包装：吸塑包装于木箱内，箱重不过20kg。
