操作模式
NMOS的漏电流与漏电压之间在不同VGSVth的关系MOSFET在线性区操作的截面图MOSFET在饱和区操作的截面图依照在MOSFET的栅、源,与漏等三个端点施加的“偏压”(bias)不同,一个常见的加强型(enhancement mode)N型 MOSFET有下列三种操作区间:截止或次临限区(cut-off or sub-threshold region) 当栅和源间的电压VGS(G代表栅,S代表源)小于一个称为临界电压(threshold voltage,Vth)的值时,这个MOSFET是处在“截止”(cut-off)的状态,电流无法流过这个MOSFET,也就是这个MOSFET不导通。但事实上当VGS>Vth、且VDS=0,一些拥有大量MOSFET的集成电路产品,如DRAM,次临限电流往往会造成额外的能量或功率消耗。温馨提示:
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