结构
一个NMOS晶体管的立体截面图左图是一个N型 MOSFET（以下简称NMOS）的截面图。如前所述，MOSFET的是位于的MOS电容，而左右两侧则是它的源与漏。源与漏的特性须同为N型（即NMOS）或是同为P型（即PMOS）。右图NMOS的源与漏上标示的“N+”代表著两个意义：⑴N代表掺杂（d）在源与漏区域的杂质性为N；⑵“+”代表这个区域为高掺杂浓度区域（heavily d region），也就是此区的电子浓度远高于其他区域。在源与漏之间被一个性相反的区域隔开，也就是所谓的基（或称基体）区域。如果是NMOS，那么其基体区的掺杂就是P型。反之对PMOS而言，基体应该是N型，而源与漏则为P型（而且是重（读作zhong）掺杂的P+）。基体的掺杂浓度不需要如源或漏那么高，故在右图中没有“+”。
对这个NMOS而言，真正用来作为通道、让载流子通过的只有MOS电容正下方半导体的表面区域。当一个正电压施加在栅上，带负电的电子就会被吸引至表面，形成通道，让N型半导体的多数载流子—电子可以从源流向漏。如果这个电压被移除，或是放上一个负电压，那么通道就无法形成，载流子也无法在源与漏之间流动。假设操作的对象换成PMOS，那么源与漏为P型、基体则是N型。在PMOS的栅上施加负电压，则半导体上的空穴会被吸引到表面形成通道，半导体的多数载流子—空穴则可以从源流向漏。假设这个负电压被移除，或是加上正电压，那么通道无法形成，一样无法让载流子在源和漏间流动。要说明的是，源在MOSFET里的意思是“提供多数载流子的来源”。对NMOS而言，多数载流子是电子；对PMOS而言，多数载流子是空穴。相对的，漏就是接受多数载流子的端点。温馨提示：
为了保障买家的利益，请咨询后再付款。电子元件是型的产品，技术含量较高，由于本身可能存在着多种品牌，后辍与封装，所以可能导致参数与性能的差异，部分产品是以小包装或者没拆包装出售等问题，请您在购买我们元件前，将您所需产品的品牌、封装，后辍，规格跟店家联系落实后再进行交易！
我们拥有的质量管理体系，所销产品均为原装（原厂原包装），合欧盟 RoHS指令 ,可出具性和ROHS（SGS）。
