配置概要:
1、系统配有多个腔室:UHV蒸发室、UHV溅射室,load lock等,用于制备约瑟夫森结。
2、电子束蒸发源:(4-6)x 15cc,6-15KW,2-10KV可调。
3、溅射室配有多个磁控靶源,每个靶源有的挡板,配备气路。
4、可以注入多种气体,进行氧化处理,并且可控制其压强。
5、样品台可以适用于3英寸以上晶片,且具有样品台倾斜和旋转功能(三维转动)。
6、样品衬底在镀膜前可以通过离子进行清洁。
7、主要真空腔真空度可达10-9-10-10 Torr.
8、可以沉积几乎任何金属及氧化物薄膜。
9、蒸镀厚度控制速度分辨率:0.001nm/s
10、整个系统全自动控制,支持半自动和手动模式。
代表用户:导及量子器件研究实验室。