晶体管综合快速筛选台（PTQ-8）

　　PTQ-8晶体管综合快速筛选台已在原快速筛选仪器上作了大大改进，不但能按规定进行晶体管热敏参数的快筛，而且可作常规直流参数测试仪器使用，具有的测试量程和，只要调用被测器件的型号，就能进入快速连续检测。当被测器件由于穿通、二次击穿和热击穿的，具有自动保护能力。　
　　
　　主要功能及技术指标：　　
　　1、能测试筛选PNP、NPN大、中、小功率三管。中文菜单式界面，操作简便。
　　
　　2、能性自动测试、筛选VBE、VBC、hFE1、hFE2、ICEO、ICBO、IEBO、V（BR）CEO、V（BRCBO、V（BR）EBO、VC、VB的常温、高温值及常温、高温值变化量或变化率。并能任意选测或部分参数；若测常温参数，每只器件1秒多。hFE1、hFE2　可以自动分10档。
　　
　　3、可任意设定器件型号、测试条件及判据，并保存在系统中，通过浏览方式任意修改、调用。
　　
　　4、测试结果在大屏幕液晶显示器（122×92mm）上显示，并标识累计测试总量；标器件自动声光报警，并在液晶屏上显示告警信息。
　　
　　5、每项参数的测试结果通过统计可获得值、小值、平均值。
　　
　　6、器件型号、测试时间、测试条件、失效判据、检测结果及器件编号，可通过打印机打印输出，或通过电脑串行口保存在电脑中。标器件自动标识。
　　
　　7、测试时选择器件型号即可进入连续检测，测试口有否被测器件自动识别。
　　
　　主要技术指标：　
　　VBE、VBC　　
　　测试范围：0.1V～1V　
　　测试条件：1mA～1A
　　
　　hFE1、hFE2
　　测试范围：5～500倍（可定制测达林顿管）
　　测试条件：VCE：1V～25V，IC：1mA～6A
　　
　　ICEO、ICBO　、IEBO
　　测试范围：0.1uA～10mA
　　测试条件：10V～1000V（VEB：1V～100V）
　　
　　V（BR）CEO、V（BR）CBO、V（BR）EBO
　　测试范围：10V～1000V（V（BR）EBO：5V～100V）
　　测试条件：50uA～10mA　　
　　
　　VC、VB
　　测试范围：0.1V～3V
　　测试条件：IC：10mA～6A，　IB：1mA～1A
　　加温PCM范围：VCE：5V～25V，IC：0.1A～6A　　
　　加温时间T：0～10S