乾野电子成功的是利用自身能融汇贯通器件与工艺设计的技术优势，专注与国际的8"芯片厂、封装与测试厂的紧密合作，通过产品在生产和测试过程中的质量控制，大批量生产中，产品的持续优质和稳定供货；同时专注于各产品的应用行业和领域的研究和并精通，使产品性能的利用化和优化。
| Produ Major INormation | VTH | Ron(10V)(mΩ) | Ron(4.5V) (mΩ) | Ron(2.5V) (mΩ) | |||||||||
| N/P Voltage | Produ Name | Assembly | BVDSS Min(V) | ID(A)25℃ | PW (W)25℃ | Vgs(V) | T | T | Max | T | Max | T | Max |
| 600V MOS系列 | FNK2N60AL | TO-220 | 600 | 2 | 54 | 30 | 3 | 4300 | |||||
| FNK2N60BL | TO-220F | 600 | 2 | 54 | 30 | 3 | 4300 | ||||||
| FNK2N60 | TO-251 | 600 | 1.9 | 44 | 30 | 3 | 4300 | ||||||
| FNK2N60DT | TO-252 | 600 | 1.9 | 44 | 30 | 3 | 4300 | ||||||
| FNK4N60AL | TO-220 | 600 | 4.4 | 106 | 30 | 3 | 2800 | ||||||
| FNK4N60BL | TO-220F | 600 | 4.4 | 33 | 30 | 3 | 2800 | ||||||
| FNK4N60DL | TO-252 | 600 | 3.9 | 50 | 30 | 3 | 2800 | ||||||
| FNK4N60CL | TO-251 | 600 | 3.9 | 50 | 30 | 3 | 2800 | ||||||
| FNK4N65AL | TO-220 | 600 | 4 | 106 | 30 | 3 | 3000 | ||||||
| FNK4N65BL | TO-220F | 600 | 4 | 34 | 30 | 3 | 3000 | ||||||
| FNK8N60AL | TO-220 | 600 | 7.5 | 50 | 30 | 3 | 1500 | ||||||
| FNK10N60AL | TO-220 | 600 | 9.5 | 156 | 30 | 3 | 870 | ||||||
场效应管的应用领域
场效应管是电场效应控制电流大小的单型半导体器件。在其输入端基本不取电流或电流小，具有输入阻高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点，在大规模和规模集成电路中被应用。
场效应器件凭借其低功耗、性能稳定、辐射能力强等优势，在集成电路中已经有逐渐取代三管的趋势。但它还是娇贵的，虽然多数已经内置了保护二管，但稍不注意，也会损坏。所以在应用中还是小心为妙。
场效应管的工作原理
场效应管工作原理用一句话说，就是"漏-源间流经沟道的ID,用以栅与沟道间的pn结形成的反偏的栅电压控制ID".更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏-源间所加VDS的电场，源区域的某些电子被漏拉去，即从漏向源有电流ID流动。从门向漏扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。
在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏-源间的电场，实际上是两个过渡层接触漏与门下部附近，由于漂移电场拉去的电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS（off），此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源的很短部分，这更使电流不能流通。
场效应晶体管（Field Effe Transistor缩写（FET））简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8~10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、工作区域宽等优点，现已成为双型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
