根据三管的原理开发出的新一代放大元件,有3个性,栅,漏,源,它的特点是栅的内阻高,采用二氧化硅材料的可以几百兆欧,属于电压控制型器件
概念:
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.
特点:
具有输入电阻高(108~109Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、工作区域宽等优点,现已成为双型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.
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根据三管的原理开发出的新一代放大元件,有3个性,栅,漏,源,它的特点是栅的内阻高,采用二氧化硅材料的可以几百兆欧,属于电压控制型器件
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场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.
特点:
具有输入电阻高(108~109Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、工作区域宽等优点,现已成为双型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.