- 产品品牌:
- 特欧斯
- 产品型号:
- 2SA1180A
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | D-G双栅四极 |
封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
开启电压 | 1(V) | 夹断电压 | 1(V) |
跨导 | 1(μS) | 极间电容 | 1(pF) |
低频噪声系数 | 1(dB) | 漏极电流 | 1(mA) |
耗散功率 | 1(mW) |
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深圳市福田区新亚洲电子市场二期坤廷电子经营部
免企业未认证证营业执照未上传
经营模式:工厂
主营产品:可控硅,场效应管,MOS 管,美国万代AO,二极管三极管,音响功放IC,三端稳压 ,电阻,电容 ,钽电容,电话机振玲电路IC,单/双电压比较器IC
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | D-G双栅四极 |
封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
开启电压 | 1(V) | 夹断电压 | 1(V) |
跨导 | 1(μS) | 极间电容 | 1(pF) |
低频噪声系数 | 1(dB) | 漏极电流 | 1(mA) |
耗散功率 | 1(mW) |