- 产品品牌:
- 未
- 产品型号:
- MIC5365-3.3YC5
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | MOS-TPBM/三相桥 |
| 封装外形 | LLCC/无引线陶瓷片载 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 1(V) | 夹断电压 | 1(V) |
| 跨导 | 1(μS) | 极间电容 | 1(pF) |
| 低频噪声系数 | 1(dB) | 漏极电流 | 1(mA) |
| 耗散功率 | 1(mW) |
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深圳市福田区新亚洲电子市场二期坤廷电子经营部
免企业未认证证营业执照未上传
经营模式:工厂
主营产品:可控硅,场效应管,MOS 管,美国万代AO,二极管三极管,音响功放IC,三端稳压 ,电阻,电容 ,钽电容,电话机振玲电路IC,单/双电压比较器IC
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | MOS-TPBM/三相桥 |
| 封装外形 | LLCC/无引线陶瓷片载 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 1(V) | 夹断电压 | 1(V) |
| 跨导 | 1(μS) | 极间电容 | 1(pF) |
| 低频噪声系数 | 1(dB) | 漏极电流 | 1(mA) |
| 耗散功率 | 1(mW) |