原子层沉积（Atomic Layer Deposition System，ALD)
◆ 的粉末样品表面原子层级包覆功能。
◆ 前驱体是饱和化学吸附，生成大面积均匀性的薄膜；
◆ 可以沉积多组份纳米薄层和混合氧化物；
◆ 可承受腐蚀性前驱气体。
◆ 预留等离子体Plaa-ALD接入口，可根据客户需要进行灵活升级。
◆ 样品固定台设计，操作便捷，。
◆ 将晶片和粉末样品的两个处理仓进行高度整合，合二为一;
◆ 大大设备利用率，降低使用成本。
◆ 同时，该系列可以十分方便升级到等离子体ALD系统。
| 原子层沉积ALD的应用包括： |
| High-K介电材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, |
| Ta2O5, La2O3)； |
| 导电门电 (Ir, Pt, Ru, TiN)； |
| 金属互联结构 (Cu, WN, TaN,Ru, Ir)； |
| 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5)； |
| 纳米结构 (All ALD Material)； |
| 生物涂层 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN)； |
| ALD金属 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni)； |
| 压电层 (ZnO, AlN, ZnS)； |
| 透明电学导体 (ZnO:Al, ITO)； |
| 紫外阻挡层 (ZnO, TiO2)； |
| OLED钝化层 (Al2O3)； |
| 光子晶体 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5)； |
| 反射滤光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5)； |
| 电致发光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce)； |
| 工艺层如蚀刻栅栏、离子扩散栅栏等 (Al2O3, ZrO2)； |
| 光学应用如太阳能电池、激光器、光学涂层、纳米光子等 (AlTiO, SnO2, ZnO)； |
| 传感器 (SnO2, Ta2O5)； |
| 磨损润滑剂、腐蚀阻挡层 (Al2O3, ZrO2, WS2)； |
| 目前可以沉积的材料包括： |
| 氧化物： Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,... |
| 氮化物： AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ... |
| 复合结构材料： AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ... |
| 金 属： Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ... |
| 碳化物： TiC, NbC, TaC, ... |
| 氟化物： CaF2, SrF2, ZnF2, ... |
| 硫化物： ZnS, SrS, CaS, PbS, ... |
