| 品牌 | McBain | 型号 | DDR 300 Subsurface Defect |
| 测量范围 | 900-1700nm | 测量 | 300mm |
| 外形尺寸 | 300（mm） | 用途 | 检测硅晶体内部缺陷近红外分析 |
近红外的DDR200（200毫米）和DDR300近红外（300毫米), 提供晶圆缺陷检测和精密测量等部位。这些经济的系统为生产和开发利用过程中的优势，当两个内部缺陷的检测和尺寸测量是需的。提供一个的近红外（900 - 1700nm）解决方案， 这些复员系统功能的自动化和半自动化光学和数字视频工具，这是优化高，生产能力和一套大的易用性。自动化和通用平台架构采用了的近红外克勒外延照明以及可选的照明封装。系统配置的系统上，的多轴平台
应用
•对于进程，后处理和故障分析
•保税晶圆对准
•芯片对准（倒装芯片或杂交）
•内部缺陷的可视化，检测，鉴定
•MEMS器件检验和计量
•三维堆叠工艺开发和控制
主要特点
•专为自动/半自动操作
•广泛的缺陷检测功能和能力
•集成的三维测量功能能够穿透较厚的材料，更多的高掺杂的材料和粗糙举办的高表面比其它系统
•亚微米精密光学测量•，到20nm 线性编码器分辨率
•分辨率900 - 1700nm 的 InGaAs 多晶片类数码相机
•直线伺服电机分期
•50-50/测量/秒，每视野，典型
•容易使用，纲领，并设立/模具/件处理系统提供
•应用定制软件
•合SEMI标准S2/S8
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