产品属性
制造商 | Vishay | 晶体管极性 | N and P-Channel |
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汲极/源极击穿电压 | 30 V | 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
漏极连续电流 | 5.9 A, 4.9 A | 电阻汲极/源极 RDS(导通) | 36 mOhms, 53 mOhms |
配置 | Dual | 最大工作温度 | + 150 C |
安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | SO-8 |
下降时间 | 14 ns at N Channel, 10 ns at P Channel | 最小工作温度 | - 55 C |
功率耗散 | 1.1 W | 上升时间 | 14 ns at N Channel, 10 ns at P Channel |
工厂包装数量 | 100 | 商标名 | TrenchFET |
典型关闭延迟时间 | 30 ns at N Channel, 40 ns at P Channel |