SI4505DY-T1-E3 原装现货供应，环保现货SI4505DY-T1-E3价格优惠
参考价格
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产品属性
| 标准包装 | 2,500 | 类别 | 分离式半导体产品 |
|---|---|---|---|
| 家庭 | FET - 阵列 | 系列 | TrenchFET® |
| FET 型 | N 和 P 沟道 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V，8V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6A，3.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 18 毫欧 @ 7.8A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.8V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 20nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | - |
| 功率 - 最大 | 1.2W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SOICN |
| 包装 | 带卷 (TR) |
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