特价SI4511DY-T1-E3，原厂生成，SI4511DY-T1-E3分离式半导体产品原装现货
- 数据列表：SI4511DY
- 标准包装：2,500
- 家庭：FET - 阵列
参考价格
- 数量单价USD批量价USD
- 12500$0.612
- 2500$0.672
- 25000$0.5952
- 5000$0.6384
- 62500$0.576
产品属性
| 数据列表 | SI4511DY | 标准包装 | 2,500 |
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| 类别 | 分离式半导体产品 | 家庭 | FET - 阵列 |
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| 系列 | TrenchFET® | FET 型 | N 和 P 沟道 |
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| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
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| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 7.2A，4.6A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 14.5 毫欧 @ 9.6A，10V |
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| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.8V @ 250µA | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
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| 输入电容 (Ciss) @ Vds | - | 功率 - 最大 | 1.1W |
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| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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| 供应商设备封装 | 8-SOICN | 包装 | 带卷 (TR) |
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| 其它名称 | SI4511DY-T1-E3TR | | |
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深圳市誉德瑞电子有限公司
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