特价SI3585DV-T1-E3，原厂生成，SI3585DV-T1-E3分离式半导体产品原装现货
- 数据列表：SI3585DV
- 标准包装：3,000
- 家庭：FET - 阵列
参考价格
- 数量单价USD批量价USD
- 3000$0.20667
产品属性
| 数据列表 | SI3585DV | 标准包装 | 3,000 |
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| 类别 | 分离式半导体产品 | 家庭 | FET - 阵列 |
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| 系列 | TrenchFET® | FET 型 | N 和 P 沟道 |
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| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
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| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2A，1.5A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 125 毫欧 @ 2.4A，4.5V |
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| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 600mV @ 250µA | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 3.2nC @ 4.5V |
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| 输入电容 (Ciss) @ Vds | - | 功率 - 最大 | 830mW |
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| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
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| 供应商设备封装 | 6-TSOP | 包装 | 带卷 (TR) |
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| 其它名称 | SI3585DV-T1-E3TR | | |
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深圳市誉德瑞电子有限公司
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