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SI3457BDV-T1-E3特低价供应, SI3457BDV-T1-E3 厂家直销 量大优惠

  • SI3457BDV-T1-E3
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  • 数据列表:SI3457BDV
  • 标准包装:3,000
  • 家庭:FET - 单

参考价格

  • 数量单价USD批量价USD
  • 15000$0.13635
  • 150000$0.1212
  • 3000$0.15655
  • 30000$0.12878
  • 6000$0.14645
  • 75000$0.12625

产品属性

数据列表SI3457BDV标准包装3,000
类别分离式半导体产品家庭FET - 单
系列TrenchFET®FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.7A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C54 毫欧 @ 5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs19nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds-功率 - 最大1.14W
安装类型表面贴装封装/外壳6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
供应商设备封装6-TSOP包装带卷 (TR)
其它名称SI3457BDV-T1-E3TR

优质供应商

深圳市深创辉科技有限公司
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SI3457BDV-T1-E3 Tel:400-893-5700
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