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特价SI3458DV-T1-E3,原厂生成,SI3458DV-T1-E3分离式半导体产品原装现货

  • SI3458DV-T1-E3
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  • 数据列表:SI3458DV
  • 标准包装:3,000
  • 家庭:FET - 单

产品属性

数据列表SI3458DV标准包装3,000
类别分离式半导体产品家庭FET - 单
系列TrenchFET®FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.2A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C100 毫欧 @ 3.2A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs16nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds-功率 - 最大2W
安装类型表面贴装封装/外壳6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
供应商设备封装6-TSOP包装带卷 (TR)
其它名称SI3458DV-T1-E3TR

优质供应商

北京捷美创芯电子科技有限公司
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