SI2302CDS-T1-E3分离式半导体产品，现货供应SI2302CDS-T1-E3 接受批量订货
- 标准包装：3,000
- 家庭：FET - 单
- 系列：-
参考价格
- 数量单价USD批量价USD
- 15000$0.0744
- 3000$0.0864
- 30000$0.0696
- 6000$0.0816
产品属性
| 标准包装 | 3,000 | 类别 | 分离式半导体产品 |
|---|---|---|---|
| 家庭 | FET - 单 | 系列 | - |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 57 毫欧 @ 3.6A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 850mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 5.5nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | - |
| 功率 - 最大 | 710mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商设备封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | SI2302CDS-T1-E3-NDSI2302CDS-T1-E3TR |
