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SI1917EDH-T1-E3特低价供应, SI1917EDH-T1-E3 厂家直销 量大优惠

  • SI1917EDH-T1-E3
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  • 数据列表:SI1917EDH
  • 标准包装:3,000
  • 家庭:FET - 阵列

参考价格

  • 数量单价USD批量价USD
  • 15000$0.1131
  • 3000$0.1287
  • 30000$0.10374
  • 6000$0.1209

产品属性

数据列表SI1917EDH标准包装3,000
类别分离式半导体产品家庭FET - 阵列
系列TrenchFET®FET 型2 个 P 沟道(双)
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C370 毫欧 @ 1A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)450mV @ 100µA闸电荷(Qg) @ Vgs2nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds-功率 - 最大570mW
安装类型表面贴装封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装SC-70-6包装带卷 (TR)
其它名称SI1917EDH-T1-E3TR

优质供应商

深圳市誉德瑞电子有限公司
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SI1917EDH-T1-E3 Tel:400-831-3558