SI2301BDS-T1-E3特低价供应, SI2301BDS-T1-E3 厂家直销 量大优惠
- 数据列表:SI2301BDS
- 标准包装:3,000
- 家庭:FET - 单
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产品属性
数据列表 | SI2301BDS | 标准包装 | 3,000 |
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类别 | 分离式半导体产品 | 家庭 | FET - 单 |
系列 | - | FET 型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.2A | 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 100 毫欧 @ 2.8A,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 950mV @ 250µA | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 375pF @ 6V | 功率 - 最大 | 700mW |
安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商设备封装 | SOT-23-3(TO-236) | 包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | SI2301BDS-T1-E3TR |
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