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SI2301BDS-T1-E3特低价供应, SI2301BDS-T1-E3 厂家直销 量大优惠

  • SI2301BDS-T1-E3
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  • 数据列表:SI2301BDS
  • 标准包装:3,000
  • 家庭:FET - 单

参考价格

  • 数量单价USD批量价USD
  • 15000$0.0837
  • 150000$0.0675
  • 3000$0.0972
  • 30000$0.0783
  • 6000$0.0918
  • 75000$0.0702

产品属性

数据列表SI2301BDS标准包装3,000
类别分离式半导体产品家庭FET - 单
系列-FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.2A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C100 毫欧 @ 2.8A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)950mV @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs10nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds375pF @ 6V功率 - 最大700mW
安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)包装带卷 (TR)
其它名称SI2301BDS-T1-E3TR

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