VS7050-A
频率:1.5MHz~200.0MHz
封装:7.0×5.0×
工作电压: 5V 3.3V
Pulling范围:±100ppm
抖动:40 mSec
输出波形:CMOS
温度稳定度:-20℃~
存储温度:-55℃~+
VS7050-B
频率:60MHz~200.0MHz
封装:7.0×5.0×
工作电压: 5V 3.3V
Pulling范围:±100ppm
抖动:5 mSec
输出波形:CMOS
温度稳定度:-20℃~
存储温度:-55℃~+
VS7050-C
频率:1.5MHz~200.0MHz
封装:7.0×5.0×
工作电压: 5V 3.3V
Pulling范围:±100ppm
抖动:40 mSec
输出波形:CMOS
温度稳定度:-20℃~
存储温度:-55℃~+
VS7050-D
频率:100MHz~700.0MHz
封装:7.0×5.0×
工作电压: 5V 3.3V
Pulling范围:±100ppm
抖动:5 mSec
输出波形:PECL;LVDS
温度稳定度:-20℃~
存储温度:-55℃~+
VF7550-A
频率:60MHz~200.0MHz
封装:7.5×5.0×
工作电压: 3.3V
Pulling范围:±100ppm
抖动:5 mSec
输出波形:CMOS;TTL
温度稳定度:-20℃~
存储温度:-55℃~+
VF7550-B
频率:1.5MHz~200.0MHz
封装:7.5×5.0×
工作电压: 5V 3.3V
Pulling范围:±100ppm
抖动:40 mSec
输出波形:CMOS;TTL
温度稳定度:-20℃~
存储温度:-55℃~+
VS1438
频率:2.5MHz~45.0MHz
封装:14.3×8.7×
工作电压: 5V 3.3V
频率稳定度VS电压:±3ppm
频率稳定度VS负载:±3ppm
频率稳定度VS老化率:±1ppm/year
输出波形:CMOS;TTL
温度稳定度:-20℃~
存储温度:-55℃~+
VF1281
频率:2.5MHz~45.0MHz
封装:12.8×12.8×
工作电压: 5V 3.3V
频率稳定度VS电压:±3ppm
频率稳定度VS负载:±3ppm
频率稳定度VS老化率:±1ppm/year
输出波形:CMOS;TTL
温度稳定度:-20℃~
存储温度:-55℃~+
VF2041
频率:2.5MHz~45.0MHz
封装:20.4×12.8×
工作电压: 5V 3.3V
频率稳定度VS电压:±3ppm
频率稳定度VS负载:±3ppm
频率稳定度VS老化率:±1ppm/year
输出波形:CMOS;TTL
温度稳定度:-20℃~
存储温度:-55℃~+
定做方法:用户可以提出相应的参数和指标定做,例如:封状、相噪、输出波形、频点、精度、温度频差、负载电容、老化率等。
本公司以"信誉,品质至上"的宗旨,期望与您建立长期友好的合作关系!欢迎您的来电垂询.
QQ:499511163
石英晶体 HC-49U 频率:1.8~180MHz ; 封装:10.82×4.47×12.86mm ; 频率精度:±10ppm~ ±50ppm 温度稳定度:-20℃~70℃ ±20ppm 负载电容:20pF 激励功率:10μW~5MW(typical) 静电容:7.0pF Max 老化率:±5ppm/year(年) 存储温度:-55℃~125℃ HC-49S-SMD 频率:3.5M~90MHz 封装:HC-49S 频率精度:±10ppm~ ±50ppm 温度稳定度:-20℃~70℃ ±20ppm 负载电容:6~50pF 激励功率:10MW typical;5μW Max 静电容:7.0pF Max 老化率:±5ppm/year(年) 存储温度:-55℃~125℃ HC-49S 频率:3.5M~90MHz 封装:HC-49S DIP 频率精度:±10ppm~ ±50ppm 温度稳定度:-20℃~70℃ ±20ppm 负载电容:6~50pF 激励功率:10MW typical;5μW Max 静电容:7.0pF Max 老化率:±5ppm/year(年) 存储温度:-55℃~125℃ CT8035 频率:11.5M~180MHz 封装:8.0×3.5×6.0mmDIP 频率精度:±10ppm~ ±20ppm 温度稳定度:-20℃~70℃ ±20ppm 负载电容:6~50pF 激励功率:10μW~5mW(typical) 静电容:7.0pF Max 老化率:(±3.0~±5.0)ppm/year 存储温度:-55℃~...
恒温振荡器 主要产品 OF2542 频率:5MHz~40.0MHz 封装:25.4×25.4×15.0mm 频率精度:±0.02ppm(at 25℃) 工作电压:+5V +3.3V 输出波形:CMOS 温度稳定度:-20℃~70℃ ±0.01ppm 输出负载:50Ω 老化率:±0.1ppm/year(年),±0.35ppm(10年) 存储温度:-40℃~100℃ OS2542 频率:5MHz~40.0MHz 封装:25.4×22.1×15.3mm 频率精度:±0.03ppm(at 25℃) 工作电压:+5V +3.3V 输出波形:CMOS 温度稳定度:-20℃~70℃ ±0.02ppm 输出负载:15pF 老化率:±0.01ppm/year(30天),±0.35ppm(10年) 存储温度:-40℃~+100℃ OF3632 频率:5MHz~80.0MHz 封装:36.3×27.2×19.1mm 频率精度:±0.02ppm(at 25℃) 工作电压:+5V +3.3V 输出波形:CMOS 温度稳定度:-20℃~70℃ ±0.02ppm 输出负载:50Ω 老化率:±0.005ppm/year(30天),±0.3ppm(10年) 存储温度:-40℃~+100℃ OF5085 频率:5MHz~80.0MHz 封装:50.8×50.8×26.2mm 频率精度:±0.02ppm(at 25℃) 工作电压:+5V +3.3V 输出波形:CMOS 温度稳定度:-20℃~70℃ ±0.005ppm 输出负载:50Ω 老化率:±0.005ppm/year(30天),±0.15ppm(10年...