石英晶体
HC-49U
频率:1.8~180MHz ;
封装:10.82×4.47×
频率精度:±10ppm~ ±50ppm
温度稳定度:
负载电容:20pF
激励功率:10μW~5MW(typical)
静电容:7.0pF Max
老化率:±5ppm/year(年)
存储温度:-55℃~
HC-49S-SMD
频率:
封装:HC-49S
频率精度:±10ppm~ ±50ppm
温度稳定度:-20℃~
负载电容:6~50pF
激励功率:10MW typical;5μW Max
静电容:7.0pF Max
老化率:±5ppm/year(年)
存储温度:-55℃~
HC-49S
频率:
封装:HC-49S DIP
频率精度:±10ppm~ ±50ppm
温度稳定度:-20℃~
负载电容:6~50pF
激励功率:10MW typical;5μW Max
静电容:7.0pF Max
老化率:±5ppm/year(年)
存储温度:-55℃~
CT8035
频率:
封装:8.0×3.5×6.0mmDIP
频率精度:±10ppm~ ±20ppm
温度稳定度:-20℃~
负载电容:6~50pF
激励功率:10μW~5mW(typical)
静电容:7.0pF Max
老化率:(±3.0~±5.0)ppm/year
存储温度:-55℃~
CF3225
频率:
封装:3.2×2.5×0.6mmSMD
频率精度:±10ppm~ ±50ppm
温度稳定度:-20℃~
负载电容:6~50pF
激励功率:10μW ;5μW typical
静电容:7.0pF Max
老化率:±0.1ppm/year(年)
存储温度:-55℃~
CF4025
频率:
封装:4.0×2.5×
频率精度:±5ppm~ ±50ppm
温度稳定度:-20℃~
负载电容:6~50pF
激励功率:10μW typical ;100μW Max
静电容:3.0pF Max
老化率:±1.0ppm/year(年)
存储温度:-55℃~
CF5032
频率:
封装:5.0×3.2×
频率精度:±10ppm~ ±50ppm
温度稳定度:-20℃~
负载电容:6~50pF
激励功率:10mW typical ;5μW Max
静电容:7.0pF Max
老化率:±1.0ppm/year(年)
存储温度:-55℃~
CF6035
频率:
封装:6.0×3.5×
频率精度:±10ppm~ ±50ppm
温度稳定度:-20℃~
负载电容:6~50pF
激励功率:10mW typical ;5μW Max
静电容:7.0pF Max
老化率:±1.0ppm/year(年)
存储温度:-55℃~
CT5032
频率:
封装:5.0×3.2×
频率精度:±10ppm~ ±50ppm
温度稳定度:-20℃~
负载电容:6~50pF
激励功率:10μW ;5μW (typical)
静电容:7.0pF Max
老化率:±5.0ppm/year(年)
存储温度:-55℃~
CT8045
频率:
封装:8.0×4.5×1.5(1.7)mm SMD
频率精度:±10ppm~ ±50ppm
温度稳定度:-20℃~
负载电容:6~50pF or Series
激励功率:10MW typical;5μW
静电容:7.0pF Max
老化率:±5.0ppm/year(年)
存储温度:-55℃~
CT1030
频率:
封装:10.0×
频率精度:±10ppm~ ±50ppm
温度稳定度:-20℃~
负载电容:6~50pF or Series
激励功率:0.01mW~0.1mW (typical)
静电容:7.0pF Max
老化率:(±3.0~±5.0)ppm/year
存储温度:-55℃~
CT6020
频率:25.6KHz~200KHz
封装:6.0×
频率精度:±5ppm~ ±20ppm
温度稳定度:-20℃~
负载电容:6~50pF or Series
激励功率: 0.1mW (typical)
静电容:7.0pF Max
老化率:(±3.0~±5.0)ppm/year
存储温度:-55℃~
CT8030
频率:25.6KHz~200KHz
封装:8.0×
频率精度:±5ppm~ ±20ppm
温度稳定度:-20℃~
负载电容:6~50pF or Series
激励功率: 0.1mW (typical)
静电容:7.0pF Max
老化率:(±3.0~±5.0)ppm/year
存储温度:-55℃~
定做方法:用户可以提出相应的参数和指标定做,例如:封状、相噪、输出波形、频点、精度、温度频差、负载电容、老化率等。
本公司以"信誉,品质至上"的宗旨,期望与您建立长期友好的合作关系!欢迎您的来电垂询.
QQ:499511163
恒温振荡器 主要产品 OF2542 频率:5MHz~40.0MHz 封装:25.4×25.4×15.0mm 频率精度:±0.02ppm(at 25℃) 工作电压:+5V +3.3V 输出波形:CMOS 温度稳定度:-20℃~70℃ ±0.01ppm 输出负载:50Ω 老化率:±0.1ppm/year(年),±0.35ppm(10年) 存储温度:-40℃~100℃ OS2542 频率:5MHz~40.0MHz 封装:25.4×22.1×15.3mm 频率精度:±0.03ppm(at 25℃) 工作电压:+5V +3.3V 输出波形:CMOS 温度稳定度:-20℃~70℃ ±0.02ppm 输出负载:15pF 老化率:±0.01ppm/year(30天),±0.35ppm(10年) 存储温度:-40℃~+100℃ OF3632 频率:5MHz~80.0MHz 封装:36.3×27.2×19.1mm 频率精度:±0.02ppm(at 25℃) 工作电压:+5V +3.3V 输出波形:CMOS 温度稳定度:-20℃~70℃ ±0.02ppm 输出负载:50Ω 老化率:±0.005ppm/year(30天),±0.3ppm(10年) 存储温度:-40℃~+100℃ OF5085 频率:5MHz~80.0MHz 封装:50.8×50.8×26.2mm 频率精度:±0.02ppm(at 25℃) 工作电压:+5V +3.3V 输出波形:CMOS 温度稳定度:-20℃~70℃ ±0.005ppm 输出负载:50Ω 老化率:±0.005ppm/year(30天),±0.15ppm(10年...
ZYH-E(10A以下) 额定电压: 250VAC 工作频率: 50/60Hz 额定电源: 0.5~15A 耐压试验(一分钟): 1500VDC 气候类别: 25/085/21 型号 额定电流 泄漏电流 绝缘电阻 EI 3或6 0.5 ≥500MΩ EL 3或6 0.5 ≥500MΩ EF 3或6 0.5 ≥500MΩ EG 3或6 0.5 ≥500MΩ EGA 3或6 0.5 ≥500MΩ EGB 3或6 0.5 ≥500MΩ EGC 3或6 0.5 ≥500MΩ 定做方法:用户可以提出相应的参数和指标定做,例如:封状、相噪、输出波形、频点、精度、温度频差、负载电容、老化率等。 本公司以"信誉,品质至上"的宗旨,期望与您建立长期友好的合作关系!欢迎您的来电垂询. QQ:499511163