FNK10N25B丨MOS管场效应晶体管
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK10N25B | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | TSSOP8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 | |
| 功率特征： | 小功率 |
惠州市乾野电子有限公司（简称FNK-TECH） 成立于2003 年。
从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售，是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。
目前（20V-250V）大功率Trench-MOS 器件、（500V-650V）SJ-MOS器件、普通高压MOS器件（600V）已量产与销售， 并取得国内和国际的多项技术。
公司是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET（SJ-MOSFET）的设计公司，目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。dzsc/19/4490/19449030.jpg
dzsc/19/4490/19449030.jpg
场效应管的主要参数
IF---二极管正向电流
IGSS---漏极短路时截止栅电流
IDSS1---对管管漏源饱和电流
IDSS2---对管第二管漏源饱和电流
Iu---衬底电流
Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数）
gfs---正向跨导
Gp---功率增益
- 所属城市：广东 惠州
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 吉先生
- 电话：0752-7777240
- 传真：0752-7777695
- 手机：13380690588
- QQ ：
厂家优势供应FNK10N25B丨mos管
信息内容：惠州市乾野电子有限公司（简称FNK-TECH） 成立于2003 年。 从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售，是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。 目前（20V-250V）大功率Trench-MOS 器件、（500V-650V）SJ-MOS器件、普通高压MOS器件（600V）已量产与销售， 并取得国内和国际的多项技术。 公司是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET（SJ-MOSFET）的设计公司，目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。 dzsc/19/4490/19449031.jpg dzsc/19/4490/19449031.jpg 场效应管的这样参数 Gps---共源极中和高频功率增益 GpG---共栅极中和高频功率增益 GPD---共漏极中和高频功率增益 ggd---栅漏电导 gds---漏源电导 K---失调电压温度系数 Ku---传输系数 L---负载电感（外电路参数） LD---漏极电感 Ls---源极电感 rDS---漏源电阻 rDS(on)---漏源通态电阻 rDS(of)---漏源断态电阻 rGD---栅漏电阻 rGS---栅源电阻
功率晶体管|厂家功率晶体管|功率晶体管价格
信息内容：功率晶体管的主要参数 1、额定电压 2、电流定额：集电极电流Icm,集电极持续电流Ic 3、集电极耗散功率：Pcm（管壳为25℃时） 4、结温Tmj（一般为150℃） 5、开关时间：开通时间、存储时间、下降时间 功率晶体管的特性 1、通态特性：大注入下基区和集电区发生调制效应，通泰压降很低 2、开关特性：关断过程中的电流集中现象：由于基区存在自偏压效应，在晶体管关断过程中使发射机边缘部分反偏，边缘关断而中心仍导通，于是出现电流集中现象 3、二次击穿特性，和所有继电器一样。值得说明的是当次雪崩击穿后，加在BJT上的能力那个超过临界值才产生二次击穿，也就是说二次击穿需要能量。 功率晶体管的主要应用 1、作为放大器，应用在电源串联调压电路，音频和超声波放大等领域 2、作为大功率半导体开关，电视机行输出电路，电机控制，不停电电源和汽车电子 3、GTR模块，应用于交流传动，逆变器和开关电源。 功率晶体管的工作模式 1、当BB结正偏、CB结反偏时，功率晶体管处于放大模式 2、当BB结合CD结均正偏时，功率晶体管处于饱和模式 3、当BB结零偏或反偏、CB结...
