价 格: | 面议 | |
型号/规格: | FNK10N25B | |
品牌/商标: | FNK | |
封装形式: | TSSOP8 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 卷带编带包装 | |
功率特征: | 小功率 |
惠州市乾野电子有限公司(简称FNK-TECH) 成立于2003 年。
从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售,是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。
目前(20V-250V)大功率Trench-MOS 器件、(500V-650V)SJ-MOS器件、普通高压MOS器件(600V)已量产与销售, 并取得国内和国际的多项技术。
公司是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET(SJ-MOSFET)的设计公司,目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。dzsc/19/4490/19449031.jpg
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场效应管的这样参数
Gps---共源极中和高频功率增益
GpG---共栅极中和高频功率增益
GPD---共漏极中和高频功率增益
ggd---栅漏电导
gds---漏源电导
K---失调电压温度系数
Ku---传输系数
L---负载电感(外电路参数)
LD---漏极电感
Ls---源极电感
rDS---漏源电阻
rDS(on)---漏源通态电阻
rDS(of)---漏源断态电阻
rGD---栅漏电阻
rGS---栅源电阻
功率晶体管的主要参数 1、额定电压 2、电流定额:集电极电流Icm,集电极持续电流Ic 3、集电极耗散功率:Pcm(管壳为25℃时) 4、结温Tmj(一般为150℃) 5、开关时间:开通时间、存储时间、下降时间 功率晶体管的特性 1、通态特性:大注入下基区和集电区发生调制效应,通泰压降很低 2、开关特性:关断过程中的电流集中现象:由于基区存在自偏压效应,在晶体管关断过程中使发射机边缘部分反偏,边缘关断而中心仍导通,于是出现电流集中现象 3、二次击穿特性,和所有继电器一样。值得说明的是当次雪崩击穿后,加在BJT上的能力那个超过临界值才产生二次击穿,也就是说二次击穿需要能量。 功率晶体管的主要应用 1、作为放大器,应用在电源串联调压电路,音频和超声波放大等领域 2、作为大功率半导体开关,电视机行输出电路,电机控制,不停电电源和汽车电子 3、GTR模块,应用于交流传动,逆变器和开关电源。 功率晶体管的工作模式 1、当BB结正偏、CB结反偏时,功率晶体管处于放大模式 2、当BB结合CD结均正偏时,功率晶体管处于饱和模式 3、当BB结零偏或反偏、CB结...
晶体管的简述 晶体管主要分为两大类:双极性晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)。 晶体管有三个极;双极性晶体管的三个极,分别由N型跟P型组成发射极(Emitter)、基极(Base) 和集电极(Collector);场效应晶体管的三个极,分别是源极(Source)、栅极(Gate)和漏极(Drain)。 晶体管因为有三种极性,所以也有三种的使用方式,分别是发射极接地(又称共射放大、CE组态)、基极接地(又称共基放大、CB组态)和集电极接地(又称共集放大、CC组态、发射极随隅器)。 晶体管的优越性 同电子管相比,晶体管具有诸多优越性: 构件没有消耗 无论多么优良的电子管,都将因阴极原子的变化和慢性漏气而逐渐劣化。由于技术上的原因,晶体管制作之初也存在同样的问题。随着材料制作上的进步以及多方面的改善,晶体管的寿命一般比电子管长100到1000倍,称得起性器件的美名。 消耗电能极少 仅为电子管的十分之一或几十分之一。它不像电子管那样需要加热灯丝以产生自由电子。一台晶体管收音机只要几节干电池就可以半年一年地听下去,这对电子管收音机来说,是难以做到的。 不需预热 一开机就工作。例如,晶体...