价 格: | 面议 | |
型号/规格: | FNK3010 | |
品牌/商标: | FNK | |
封装形式: | SOP-8 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 卷带编带包装 | |
功率特征: | 小功率 |
场效应管是另一种半导体器件,工作原理与三极管有很大区别。场效应管是电压控制电流的器件,工作时不从前级电路取电流,因此,场效应管电路的输入电阻高。另外,场效应管的制作工艺简单,功率损耗小,在集成电路中有广泛应用。场效应管容易受静电击穿而损坏,使用时要注意保护。
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增强型 N沟道MOS场效应管
场效应管有两种:一种称为结型场效应管;另一种是绝缘栅型场效应管,又称MOS管。下面分别简要介绍它们的结构和工作原理。 根据导电沟道的不同,结场效应管分成N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管 场效应管是一种载流子导电,这是与三极管的根本区别,有时将三极管称为双极型晶体管。 dzsc/19/4422/19442227.jpgdzsc/19/4422/19442227.jpg 场效应管不仅兼有普通晶体管和电子管的优点,而且还具备两者所缺少的优点,场效应管具有双向对称性,即场效应管的源和漏是可以互换的( 无阻尼),一般的晶体管是不容易做到这一点的,电子管是根本不可能达到这一点。所谓双向对称性,对普通晶体管来说,就是发射极和集电极互换,对电子管来说,就是将阴极和阳极互换。
MOSFET介绍:金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的极性不同,可分为n-type与p-type的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。 dzsc/19/4422/19442241.jpg dzsc/19/4422/19442241.jpg 要使增强型N沟道MOSFET工作,要在G、S之间加正电压VGS及在D、S之间加正电压VDS,则产生正向工作电流ID。改变VGS的电压可控制工作电流ID。 若先不接VGS(即VGS=0),在D与S极之间加一正电压VDS,漏极D与衬底之间的PN结处于反向,因此漏源之间不能导电。如果在栅极G与源极S之间加一电压VGS。此时可以将栅极与衬底看作电容器的两个极板,而氧化物绝缘层作为电容器的介质。当加上VGS时,在绝缘层和栅极界面上感应出正电荷,而在绝缘层和P型衬底界面上感应出负电荷(如图3)。这层感应的负电荷和P型衬底中的多数载流子(空穴)的极性相反,所以称为“反型层”,这反型层有可能将漏与源的两N型区连接...