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厂家直售 FNK40H19环保中功率 MOS管

价 格: 面议
型号/规格:FNK40H19
品牌/商标:fnk
封装形式:TO-220-3L
环保类别:无铅环保型
安装方式:直插式
包装方式:盒带编带包装
功率特征:中功率

 

焊接绝缘栅(或双栅)场效应管以及CMOS集成块时,因其输入阻抗很高、极间电容小,少量的静电荷即会感应静电高压,导致器件击穿损坏。笔者通过长期实践摸索出下述焊接方法,取得令人满意的效果。

  1.焊绝缘栅场效应管。保留原塑料套管或保护铝箔,用一段细裸铜丝在管脚根部绕34圈,使管脚可靠地接在一起。然后将细裸铜丝两端拧好,去掉原保护层。再把管脚剪至需要长度并弯成适当形状,以下可像焊普通晶体管那样焊接,焊好后拆除细铜丝即可。

  2.CMOS集成块。先找一块比集成块稍大的铝箔和一块平整的泡沫塑料。铝箔平放在塑料泡沫上,将CMOS集成块垂直插入泡沫塑料后随即拔起,使铝箔附在集成块上以使引脚全部短路。然后将集成块插入线路板的规定位置,像焊其它集成块那样焊接,焊好后撕去铝箔即可。

 

 

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惠州市乾野电子有限公司
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用测电阻法判别无标志的场效应管 首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚,也就是源极S和漏极D,余下两个脚为栅极G1和第二栅极G2。把先用两表笔测的源极S与漏极D之间的电阻值记下来,对调表笔再测量一次,把其测得电阻值记下来,两次测得阻值较大的一次,黑表笔所接的电极为漏极D;红表笔所接的为源极S。用这种方法判别出来的S、D极,还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证,即放大能力大的黑表笔所接的是D极;红表笔所接地是8极,两种方法检测结果均应一样。当确定了漏极D、源极S的位置后,按D、S的对应位置装人电路,一般G1、G2也会依次对准位置,这就确定了两个栅极G1、G2的位置,从而就确定了D、S、G1、G2管脚的顺序。 dzsc/19/4361/19436120.jpg dzsc/19/4361/19436120.jpg

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dzsc/19/4378/19437824.jpg dzsc/19/4378/19437824.jpg MOSFET的核心:金属—氧化层—半导体电容 金属—氧化层—半导体结构MOSFET在结构上以一个金属—氧化层—半导体的电容为核心(如前所述,今日的MOSFET多半以多晶硅取代金属作为其栅极材料),氧化层的材料多半是二氧化硅,其下是作为基极的硅,而其上则是作为栅极的多晶硅。这样子的结构正好等于一个电容器(capacitor),氧化层扮演电容器中介电质(dielectric material)的角色,而电容值由氧化层的厚度与二氧化硅的介电常数(dielectric constant)来决定。栅极多晶硅与基极的硅则成为MOS电容的两个端点。

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