供应 场效应管 SSM6K204FE SSM6K203FE
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | SSM6K204FE | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | SOT-563-6 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 4000/盘 |
SSM6K211FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,N场,20V,3.2A,0.047Ω，带二极静电保护
SSM6K204FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,N场,20V,2A,0.126Ω，带二极静电保护
产品型号:SSM6K204FE TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type
SSM6K204FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,N场,20V,2A,0.126Ω，带二极静电保护
封装:SOT-563
品牌：TOSHIBA/东芝
应用:
* 高速开关应用
* 电源管理开关应用
特点：
* 1.5-V驱动器
* 低导通电阻：Ron = 307 mΩ (max) (@VGS = 1.5V)
：Ron = 214 mΩ (max) (@VGS = 1.8V)
：Ron = 164 mΩ (max) (@VGS = 2.5V)
：Ron = 126 mΩ (max) (@VGS = 4.0V)
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20
夹断电压VGS(V):±10
漏极电流Id(A):2
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.126 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):1
功率PD(W):0.5
输入电容Ciss(PF):195 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：5.2
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):8 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):9 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM6K204FE,20V,2A,0.126Ω N-沟道增强型场效应晶体管
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供应 场效应管 SSM6K22FE SSM6K211FE
信息内容：SSM6K24FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,N场,30V,0.5A,0.145Ω 产品型号:SSM6K24FE 封装:SOT-563 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):0.1 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):4 @VGS = 4 V 开启电压VGS(TH)(V):1.5 功率PD(W):0.15 输入电容Ciss(PF):7.8 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(ms)：25 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):50 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):180 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM6K24FE,30V,0.5A,0.145Ω N-沟道增强型场效应晶体管 SSM6K211FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,N场,20V,3.2A,0.047Ω，带二极静电保护 产品型号:SSM6K211FE TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type 应用: * 高速开关应用 * 电源管理开关应用 特点： * 1.5-V驱动器 * 低导通电阻：Ron = 118 mΩ (max) (@VGS = 1.5 V) ：Ron = 82 mΩ (max) (@VGS = 1.8 V) ：Ron = 59 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V) ...
供应 场效应管 SSM6N24TU SSM6N25TU
信息内容：SSM6N24TU,SOT-323-6,SMD/MOS,双N,30V,0.5A,0.145Ω，带二极静电保护 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII) 应用: * High Speed Switching Applications/高速开关应用 特点： * 紧凑型封装，适用于高密度安装 * 低导通电阻：Ron = 145mΩ (max) (@VGS = 4.5 V) : Ron = 180mΩ (max) (@VGS = 2.5 V) 产品型号:SSM6N24TU 封装:SOT-323-6 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±12 漏极电流Id(A):0.5 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.145 @VGS = 4.5 V 开启电压VGS(TH)(V):1.1 功率PD(W):0.5 输入电容Ciss(PF):245 typ. 通道极性:双N沟道 低频跨导gFS(s)：2 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):9 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):15 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM6N24TU,双N,30V,0.5A N-沟道增强型场效应晶体管 深圳市金城微零件有限公司 地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E 经营：各种三极...
