供应 场效应管 SSM6J206FE SSM6J207FE
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | SSM6J206FE | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | SOT-563-6 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 4000/盘 |
SSM6J206FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,P场,-20V,-2A,0.13Ω，带二极静电保护
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type
应用:
* 高速开关应用
* 电源管理开关应用
特点：
* 1.8V驱动器
* 低导通电阻：Ron = 460 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V)
：Ron = 306 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)
：Ron = 234 mΩ (max) (@VGS = -4.0 V)
产品型号:SSM6J206FE
封装:SOT-563
品牌：TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20
夹断电压VGS(V):±8
漏极电流Id(A):-2
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.13 @VGS = -4 V
开启电压VGS(TH)(V):-1
功率PD(W):0.5
输入电容Ciss(PF):335 typ.
通道极性:P沟道
低频跨导gFS(s)：4
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):20 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):20 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM6J205FE,-20V,-2A P-沟道增强型场效应晶体管
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深圳市金城微零件有限公司
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供应 场效应管 SSM6J23FE SSM6J205FE SSM6J53FE
信息内容：SSM6J23FE,SOT-563(1.6*1.6),SMD/MOS,P场,-12V,-1.2A,0.16Ω,带ESD二极静电保护 产品型号:SSM6J23FE TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSⅢ) 应用: * High Current Switching Applications/高速开关应用 * DC-DC Converter/DC-DC转换器 特点： * 最适用于高密度安装在小包装 * 低导通电阻：Ron = 160 mΩ (max) (@VGS = -4.0 V) ：Ron = 210 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) 封装:SOT-563 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-12 夹断电压VGS(V):±8 漏极电流Id(A):-1.2 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.16 @VGS = -4 V 开启电压VGS(TH)(V):-1.1 功率PD(W):0.5 输入电容Ciss(PF):420 typ. 通道极性:P沟道 低频跨导gFS(s)：3.5 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):23 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):30 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM6J23FE,-12V,-1.2A P-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了...
供应 场效应管 SSM6J25FE SSM6J26FE
信息内容：SSM6J206FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,P场,-20V,-2A,0.13Ω，带二极静电保护 SSM6J213FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,P场,-20V,-2.6A,0.103Ω，带二极静电保护 SSM6J25FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,P场,-20V,-0.5A,0.26Ω，带二极静电保护 产品型号:SSM6J25FE TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type 应用: * 高速开关应用 特点： * 最适用于高密度安装在小包装 * 低导通电阻：Ron = 260mΩ (max) (@VGS = -4 V) ：Ron = 430mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) 封装:SOT-563 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20 夹断电压VGS(V):±12 漏极电流Id(A):-1.5 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.26 @VGS = -4 V 开启电压VGS(TH)(V):-1.1 功率PD(W):0.5 输入电容Ciss(PF):218 typ. 通道极性:P沟道 低频跨导gFS(s)：1.3 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):16 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):15 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM6J25FE,-20V,-1.5A P-沟道增强型场效应晶体管 ...
