供应 场效应管 SSM6J25FE SSM6J26FE
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | SSM6J25FE | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | SOT-563-6 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 4000/盘 |
SSM6J206FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,P场,-20V,-2A,0.13Ω，带二极静电保护
SSM6J213FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,P场,-20V,-2.6A,0.103Ω，带二极静电保护
SSM6J25FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,P场,-20V,-0.5A,0.26Ω，带二极静电保护
产品型号:SSM6J25FE
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type
应用:
* 高速开关应用
特点：
* 最适用于高密度安装在小包装
* 低导通电阻：Ron = 260mΩ (max) (@VGS = -4 V)
：Ron = 430mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)
封装:SOT-563
品牌：TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20
夹断电压VGS(V):±12
漏极电流Id(A):-1.5
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.26 @VGS = -4 V
开启电压VGS(TH)(V):-1.1
功率PD(W):0.5
输入电容Ciss(PF):218 typ.
通道极性:P沟道
低频跨导gFS(s)：1.3
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):16 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):15 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM6J25FE,-20V,-1.5A P-沟道增强型场效应晶体管
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 SSM3J129TU JJE SSM3J133TU
信息内容：SSM3J129TU,SOT-323,SMD/MOS,P场,-20V,-4.6A,0.046Ω，带二极静电保护 TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSV) 应用: * 电源管理开关应用 * 高速开关应用 特点： * 1.5V驱动器 * 低导通电阻：Ron = 137mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) ：Ron = 88mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) ：Ron = 62mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) ：Ron = 46mΩ (max) (@VGS = -4.5 V) 产品型号:SSM3J129TU 封装:SOT-323 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20 夹断电压VGS(V):±8 漏极电流Id(A):-4.6 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.046 @VGS = -4.5 V 开启电压VGS(TH)(V):-1.0 功率PD(W):0.5 输入电容Ciss(PF):640 typ. 通道极性:P沟道 低频跨导gFS(s)：12.2 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):32 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):102 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM3J129TU,P场,-20V,-4.6A P-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品P...
供应 场效应管 SSM3K301T KK4
信息内容：SSM3K301T,TOSHIBA,SOT-23,SMD/MOS,N场,20V,5A,0.028Ω，带二极静电保护 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type 应用: * 高速开关应用 * 电源管理开关应用 特点： * 1.8V驱动器 * 低导通电阻：Ron = 110 mΩ (max) (@VGS = 1.8 V) ：Ron = 74 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V) ：Ron = 56 mΩ (max) (@VGS = 4.0 V) 产品型号:SSM3K301T 封装:SOT-23 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20 夹断电压VGS(V):±12 漏极电流Id(A):3.5 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.056 @VGS = 4 V 开启电压VGS(TH)(V):1 功率PD(W):0.7 输入电容Ciss(PF):320 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：10 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):18 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):14 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM3K301T,20V,5A,0.028Ω,N-沟道增强型场效应晶体管 深圳市金城微零件有限公司 地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E 经营：各种...
