供应 场效应管 SSM6J401TU SSM6J402TU
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | SSM6J401TU | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | SOT-323-6 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 3000/盘 |
SSM6J401TU,SOT-323-6,SMD/MOS,P场,-30V,-2.5A,0.073Ω，带二极静电保护
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type
应用:
* DC/DC Converter Application/DC/ DC转换器应用
* High-Speed Switching Applications/高速开关应用
特点：
* 4.0V驱动
* 低导通电阻：Ron = RDS(ON) = 145mΩ (max) (@VGS = -4 V)
: RDS(ON) = 73mΩ (max) (@VGS = -10 V)
产品型号:SSM6J401TU
封装:SOT-323-6
品牌：TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):-2.5
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.073 @VGS = -10 V
开启电压VGS(TH)(V):-2.6
功率PD(W):0.5
输入电容Ciss(PF):730 typ.
通道极性:P沟道
低频跨导gFS(s)：12
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):33 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):27 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM6J401TU,-30V,-2.5A,0.073Ω P-沟道增强型场效应晶体管
深圳市金城微零件有限公司
地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等
(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\.)
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 方小姐/陈小姐/刘小姐/钟小姐
- 电话：0755-82814431/82814432
- 传真：0755-83957820
- 手机：15914096884
- QQ ：
供应 场效应管 SSM6J51TU SSM6J21TU
信息内容：SSM6J51TU,SOT-323-6,SMD/MOS,P场,-12V,-4A,0.054Ω，带二极静电保护 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSⅣ) 应用: * High Current Switching Applications/高电流开关应用 特点： * Suitable for high-density mounting due to compact package * 低导通电阻：Ron = 54 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) 85 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) 150mΩ(max) (@VGS = -1.5 V) 产品型号:SSM6J51TU 封装:SOT-323-6 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-12 夹断电压VGS(V):±8 漏极电流Id(A):-4 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.054 @VGS = -4 V 开启电压VGS(TH)(V):-1 功率PD(W):0.5 输入电容Ciss(PF):1700 typ. 通道极性:P沟道 低频跨导gFS(s)：12 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):57 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):120 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM6J51TU,-12V,-4A,0.054Ω P-沟道增强型场效应晶体管 深圳市金城微零件有限公司...
供应 场效应管 SSM6J213FE SSM6J212FE
信息内容：SSM6J206FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,P场,-20V,-2A,0.13Ω SSM6J213FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,P场,-20V,-2.6A,0.103Ω，带二极静电保护 产品型号:SSM6J213FE TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type 应用: * 高速开关应用 * 电源管理开关应用 特点： * 1.8V驱动器 * 低导通电阻：RDS(ON) = 250 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) ：RDS(ON) = 178 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) ：RDS(ON) = 133 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) ：RDS(ON) = 103 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V) 封装:SOT-563 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20 夹断电压VGS(V):±8 漏极电流Id(A):-2.6 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.103 @VGS = -4 V 开启电压VGS(TH)(V):-1 功率PD(W):0.5 输入电容Ciss(PF):290 typ. 通道极性:P沟道 低频跨导gFS(s)：5.6 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):12 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):46.2 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM6J205FE,-20V,-...
