供应 场效应管 SSM3J307T KDP
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | SSM3J307T | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | SOT-23 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 3000/盘 |
SSM3J307T,TOSHIBA,SOT-23,SMD/MOS,P场,-20V,-5A,0.031Ω，带二极静电保护
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS
应用:
* 电源管理开关应用
* 高速开关应用
特点：
* 1.5V驱动器
* 低导通电阻:Ron = 83 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V)
:Ron = 56 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V)
:Ron = 40 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)
:Ron = 31 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V)
产品型号:SSM3J307T
封装:SOT-23
品牌：TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20
夹断电压VGS(V):±8
漏极电流Id(A):-5
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.031 @VGS = -4.5 V
开启电压VGS(TH)(V):-1
功率PD(W):0.7
输入电容Ciss(PF):1170 typ.
通道极性:P沟道
低频跨导gFS(s)：9.8
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):35 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):160 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM3J307T，-20V,-5A P-沟道增强型场效应晶体管
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 SSM3J15FV SSM3J16FV DQ DT
信息内容：SSM3J15FV,SOT-723（1.2*1.2）,SMD/MOS,P场,-30V,-0.1A,12Ω，带二极(ESD)静电保护 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type 应用: * High Speed Switching Applications/高速开关应用 * Analog Switch Applications/模拟开关应用 特点： * 小封装 * 低导通电阻：: Ron = 12 Ω (max) (@VGS = -4 V) : Ron = 32 Ω (max) (@VGS = -2.5 V) 产品型号:SSM3J15FV 封装:SOT-723 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):-0.1 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):12 @VGS = -4 V 开启电压VGS(TH)(V):-1.7 功率PD(W):0.1 输入电容Ciss(PF):9.1 typ. 通道极性:P沟道 低频跨导gFS(ms)：20 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):65 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):175 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM3J15FV,P场,-30V,-0.1A,P-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 SSM3J327F KFG SSM3J328R KFH
信息内容：SSM3J327F,TOSHIBA,SOT-23,SMD/MOS,P场,-20V,-3.5A,0.095Ω，带二极静电保护 应用: * 电源管理开关应用 特点： * 1.5 V驱动器 * 低导通电阻RDS（ON）= 242毫欧（值）（@ VGS =-1.5 V） RDS（ON）=170毫欧（值）（@ VGS=-1.8 V） RDS（ON）=125毫欧（值）（@ VGS= -2.5 V） RDS（ON）=95毫欧（值）（@ VGS=-4.5 V） 产品型号:SSM3J327F 封装:SOT-23 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20 夹断电压VGS(V):±8 漏极电流Id(A):-3.5 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.095 @VGS = -4.5 V 开启电压VGS(TH)(V):-1 功率PD(W):0.6 输入电容Ciss(PF):290 typ. 通道极性:P沟道 低频跨导gFS(s)：5.6 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):12 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):46.2 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM3J327F,-20V,-3.5A P-沟道增强型场效应晶体管 TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS V) (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产...
