供应 场效应管 TK50E10K3 K50E10K3
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | TK50E10K3 | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 单件包装 |
金城微零件 场效应系列
深圳金城微零件有限公司 主营MOS管 【真正做实业的企业】
代理场效应管(2N60 4N60 7N60 5N60 5N50 75N75 3205 830等),快恢复，肖特基!
诚信经营15年 为了给客户带来更大利益，能够长期稳定合作，我们一直在努力！dzsc/19/4326/19432677.jpg
深圳市金城微零件有限公司是KIA一级代理商，经销Infineon,FAIRCHILD,ST,IR, SANYO, TOSHIBA,FUJI等国际品牌，经营各种场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC、肖特基、快恢复、DIP/SMD系列，主要应用于开关电源（如充电器、逆变转换DC -AC、转向灯、节能灯、HID灯系列等）、电池保护、机顶盒、电脑主板、显卡、液晶、玩具遥控飞机、遥控船等。
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 SSM3J113TU JJ6
信息内容：SSM3J113TU,TOSHIBA,SOT-323,SMD/MOS,P场,-20V,-1.7A,0.169Ω，带二极静电保护 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type 应用: * 高速开关应用 特点： * 2.0V驱动器 * 低导通电阻：Ron = 363mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) ：Ron = 230mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) ：Ron = 158mΩ (max) (@VGS = -4.0 V)) 产品型号:SSM3J113TU 封装:SOT-323 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20 夹断电压VGS(V):±12 漏极电流Id(A):-1.7 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.169 @VGS = -4 V 开启电压VGS(TH)(V):-1.1 功率PD(W):0.8 输入电容Ciss(PF):370 typ. 通道极性:P沟道 低频跨导gFS(s)：2.7 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):33 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):47 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM3J113TU，-20V,-1.7A P-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 SSM3J120TU JJB
信息内容：SSM3J120TU,TOSHIBA,SOT-323,SMD/MOS,P场,-20V,-4A,0.038Ω，带二极静电保护 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type 应用: * 高电流开关应用 * 电源管理开关应用 特点： * 1.5V驱动器 * 低导通电阻：Ron = 140 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) ：Ron = 78 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) ：Ron = 49 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) ：Ron = 38 mΩ (max) (@VGS = -4.0 V) 产品型号:SSM3J120TU 封装:SOT-323 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20 夹断电压VGS(V):±8 漏极电流Id(A):-4 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.038 @VGS = -4 V 开启电压VGS(TH)(V):-1 功率PD(W):0.8 输入电容Ciss(PF):1484 typ. 通道极性:P沟道 低频跨导gFS(s)：12.1 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):67 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):92 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM3J120TU，-20V,-4A P-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datash...
