供应 场效应管 SSM3J120TU JJB
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | SSM3J120TU | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | SOT-323 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 3000/盘 |
SSM3J120TU,TOSHIBA,SOT-323,SMD/MOS,P场,-20V,-4A,0.038Ω，带二极静电保护
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type
应用:
* 高电流开关应用
* 电源管理开关应用
特点：
* 1.5V驱动器
* 低导通电阻：Ron = 140 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V)
：Ron = 78 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V)
：Ron = 49 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)
：Ron = 38 mΩ (max) (@VGS = -4.0 V)
产品型号:SSM3J120TU
封装:SOT-323
品牌：TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20
夹断电压VGS(V):±8
漏极电流Id(A):-4
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.038 @VGS = -4 V
开启电压VGS(TH)(V):-1
功率PD(W):0.8
输入电容Ciss(PF):1484 typ.
通道极性:P沟道
低频跨导gFS(s)：12.1
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):67 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):92 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM3J120TU，-20V,-4A P-沟道增强型场效应晶体管
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 SSM3J130TU JJC
信息内容：SSM3J130TU,SOT-323,SMD/MOS,P场,-20V,-4.4A,0.0258Ω，带二极(ESD)静电保护 TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSⅥ) 应用: * Power Management Switch Applications/电源管理开关应用 * 高速开关应用 特点： * 1.5V驱动器 * 低导通电阻：RDS(ON) = 63.2 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) ：RDS(ON) = 41.1 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) ：RDS(ON) = 31.0 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) ：RDS(ON) = 25.8 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V) 产品型号:SSM3J130TU 封装:SOT-323 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20 夹断电压VGS(V):±8 漏极电流Id(A):-4.4 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0258 @VGS = -4.5 V 开启电压VGS(TH)(V):-1.0 功率PD(W):0.8 输入电容Ciss(PF):1800 typ. 通道极性:P沟道 低频跨导gFS(s)：17.5 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):25 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):133 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM3J130TU,-20V,...
供应 场效应管 SSM3J134TU JJM
信息内容：SSM3J134TU,SOT-323,SMD/MOS,P场,-20V,-3.2A,0.093Ω，带二极(ESD)静电保护 TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSⅥ) 应用: * Power Management Switch Applications/电源管理开关应用 特点： * 1.5V驱动器 * 低导通电阻：RDS(ON) = 240 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) ：RDS(ON) = 168 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) ：RDS(ON) = 123 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) ：RDS(ON) = 93 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V) 产品型号:SSM3J134TU 封装:SOT-323 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20 夹断电压VGS(V):±8 漏极电流Id(A):-3.2 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.093 @VGS = -4.5 V 开启电压VGS(TH)(V):-1.0 功率PD(W):0.5 输入电容Ciss(PF):290 typ. 通道极性:P沟道 低频跨导gFS(s)：5.8 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):12 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):46.2 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM3J134TU,-20V,-3.2A,P-沟道增强型场效应晶...
