场效应管FNK08N03C品牌直销
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK08N03C | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | TO-251 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 盒带编带包装 | |
| 功率特征： | 小功率 |
惠州市乾野电子有限公司（简称FNK-TECH） 成立于2003 年。
从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售，是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。
目前（20V-250V）大功率Trench-MOS 器件、（500V-650V）SJ-MOS器件、普通高压MOS器件（600V）已量产与销售， 并取得国内和国际的多项技术。
公司是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET（SJ-MOSFET）的设计公司，目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。
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场效应管的这样参数
Rg---栅极外接电阻（外电路参数）
RL---负载电阻（外电路参数）
R(th)jc---结壳热阻
R(th)ja---结环热阻
PD---漏极耗散功率
PDM---漏极允许耗散功率
PIN--输入功率
POUT---输出功率
PPK---脉冲功率峰值（外电路参数）
to(on)---开通延迟时间
td(off)---关断延迟时间
ti---上升时间
ton---开通时间
toff---关断时间
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color:black;background:white;mso-font-kerning:1.0pt;mso-ansi-language:EN-US;
mso-fareast-language:ZH-CN;mso-bidi-language:AR-SA'> rGS---栅源电阻
- 所属城市：广东 惠州
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 吉先生
- 电话：0752-7777240
- 传真：0752-7777695
- 手机：13380690588
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场效应管FNK06N02C应用
信息内容：惠州市乾野电子有限公司（简称FNK-TECH） 成立于2003 年。 从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售，是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。 目前（20V-250V）大功率Trench-MOS 器件、（500V-650V）SJ-MOS器件、普通高压MOS器件（600V）已量产与销售， 并取得国内和国际的多项技术。 公司是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET（SJ-MOSFET）的设计公司，目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。 dzsc/19/4314/19431404.jpg dzsc/19/4314/19431404.jpg 场效应管的主要参数 ID(on)---通态漏极电流 IDQ---静态漏极电流（射频功率管） IDS---漏源电流 IDSM---漏源电流 IDSS---栅-源短路时，漏极电流 IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流） IG---栅极电流（直流） IGF---正向栅电流 IGR---反向栅电流 IGDO---源极开路时，截止栅电流 IGSO---漏极开路时，截止栅电流 IGM---栅极脉冲电流 IGP---栅极峰值电流
供应FNK06N02C场效应管mos管
信息内容：惠州市乾野电子有限公司（简称FNK-TECH） 成立于2003 年。 从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售，是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。 目前（20V-250V）大功率Trench-MOS 器件、（500V-650V）SJ-MOS器件、普通高压MOS器件（600V）已量产与销售， 并取得国内和国际的多项技术。 公司是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET（SJ-MOSFET）的设计公司，目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。 dzsc/19/4314/19431406.jpg dzsc/19/4314/19431406.jpg 场效应管的主要参数 Cds---漏-源电容 Cdu---漏-衬底电容 Cgd---栅-漏电容 Cgs---漏-源电容 Ciss---栅短路共源输入电容 Coss---栅短路共源输出电容 Crss---栅短路共源反向传输电容 D---占空比（占空系数，外电路参数） di/dt---电流上升率（外电路参数） dv/dt---电压上升率（外电路参数） ID---漏极电流（直流） IDM---漏极脉冲电流
