供应 场效应管 AP9972GI 9972GI
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | AP9972GI | |
| 品牌/商标： | AP/富鼎 | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 |
AP9972GI,TO-220F,DIP/MOS,N场,60V ,35A,0.018Ω
CMF30N06L,TO-220F,DIP/MOS,60V ,30A,0.035Ω
TK75A06K3,TO-220F,DIP/MOS,N场,60V ,75A,0.0055Ω
2SD2396,TO-220F,DIP/MOS,NPN,60V,3A,
TK30A06J3A,TO-220F,DIP/MOS,N场,60V ,30A,0.026Ω
TK75A06K3,TO-220F,DIP/MOS,N场,60V ,75A,0.0055Ω
AP9972GI,TO-220F,DIP/MOS,N场,60V ,35A,0.018Ω
TK75A06K3,TO-220F,DIP/MOS,N场,60V ,75A,0.0055Ω
产品型号:AP9972GI
FEATURES:
* 栅极电荷
* 单身驱动要求
* 低导通电阻
封装:TO-220F
品牌：AP/富鼎
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60
夹断电压VGS(V):±25
漏极电流Id(A):35
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.018 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):3
功率PD(W):31.3
输入电容Ciss(PF):3160 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：40
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):12 typ.
上升时间Tr(ns):37 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):47 typ.
下降时间Tf(ns):59 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:AP9972GI,60V ,35A N-沟道增强型场效应晶体管
登陆我站:http://www.chinajincheng.com
企业Q Q:4006262666
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 SI4894BDY 4894
信息内容：SI4894BDY,SOP-8,SMD/MOS,N场,30V,8.9A,0.011Ω 产品型号:SI4894BDY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES: * Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available * TrenchFET Power MOSFET * 100% Rg Tested 封装:SOP-8 品牌：VISHAY/威士 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):8.9 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.011 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):3 功率PD(W):1.4 输入电容Ciss(PF):1580 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：32 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):20 导通延迟时间Td(on)(ns):13 typ. 上升时间Tr(ns):10 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):33 typ. 下降时间Tf(ns):10 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SI4894BDY,30V,8.9A,0.011Ω N-沟道增强型场效应晶体管 登陆我站:http://www.chinajincheng.com 企业Q Q:4006262666 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 TK80A08K3 K80A08K3
信息内容：MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具 功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板. TK80A08K3,TO-220F,DIP/MOS,N场,75V,80A,0.0045Ω TK80E06K3,TO-220,DIP/MOS,N场,60V ,80A,0.0085Ω TK30A06J3A,TO-220F,DIP/MOS,N场,60V ,30A,0.026Ω 产品型号:TK80A08K3 封装:TO-220F 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):75 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):80 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0045 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):25 输入电容Ciss(PF):8200 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：200 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):443 导通延迟时间Td(on)(ns):55 typ. 上升时间Tr(ns):30 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):33 typ. 下降时间Tf(ns):150 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:TK80A08K3 75V,80A N-沟道增强型场效应晶体管 登陆我站:http://www.chinajincheng.com 企业Q Q:4006262666 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
